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北京華測試驗儀器有限公司
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內存窗口信息是基于對器件*集成后進行模擬電滯回線測量后得出的。
FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester
內存窗口信息是基于對器件*集成后進行模擬電滯回線測量后得出的。
應用領域：
鐵電存儲器的生產
生產過程中的質量控制，以便不會影響到CMOS生產過程
在MHz的操作速度下，單級電滯回線數據
優點：
生產過程的工藝優化
在MHz范圍的時間影響測試
適用于2T-2C 設計和1T-1C設計
從模擬測試數據得出內存窗口信息
客戶可定制測試環境
升級服務
客戶支持
程序功能：
可以在單一器件上進行電滯回線、PUND脈沖測試等測試過程。
上升時間zui低可實現1μm，自定義的測試脈沖可以用于測試不同類型的失效機制。預極化脈沖參數可以在測試序列里單獨設置。
可以使用Access Time程序進行相同脈沖強度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測試。
這些測試是基于的zhuan利技術：原位寄生電容補償。
特點：
FeRAM測試儀是用來記錄quan面的測試單元電滯回線的，測試儀生成所需要的時間。
如果芯片的布局發生變化，可以自動獲取材料特性較大的陣列。這種情況下，測試儀是用一個開關盒和一個探針臺工作的。軟件可以自動調整設置的參數。
參數的統計評價是通過aixPlorer完成的。
FeRAM測試儀zui大的優點就是可以使重要信息流程化，從而提高產量，降低了成本，從而減少了產品上市的時間。相關的數字結果和模擬實驗提供了重要信息。
FeRAM測試儀擁有高分辨測量和速度到微秒的測量功能。
內存窗口信息是基于對器件*集成后進行模擬電滯回線測量后得出的。
應用領域：
鐵電存儲器的生產
生產過程中的質量控制，以便不會影響到CMOS生產過程
在MHz的操作速度下，單級電滯回線數據
優點：
生產過程的工藝優化
在MHz范圍的時間影響測試
適用于2T-2C 設計和1T-1C設計
從模擬測試數據得出內存窗口信息
客戶可定制測試環境
升級服務
客戶支持
程序功能：
可以在單一器件上進行電滯回線、PUND脈沖測試等測試過程。
上升時間zui低可實現1μm，自定義的測試脈沖可以用于測試不同類型的失效機制。預極化脈沖參數可以在測試序列里單獨設置。
可以使用Access Time程序進行相同脈沖強度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測試。
這些測試是基于的zhuan利技術：原位寄生電容補償。
特點：
FeRAM測試儀是用來記錄quan面的測試單元電滯回線的，測試儀生成所需要的時間。
如果芯片的布局發生變化，可以自動獲取材料特性較大的陣列。這種情況下，測試儀是用一個開關盒和一個探針臺工作的。軟件可以自動調整設置的參數。
參數的統計評價是通過aixPlorer完成的。
FeRAM測試儀zui大的優點就是可以使重要信息流程化，從而提高產量，降低了成本，從而減少了產品上市的時間。相關的數字結果和模擬實驗提供了重要信息。
FeRAM測試儀擁有高分辨測量和速度到微秒的測量功能。
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