詳細介紹
864芯FTTX光纖總配線架品質光纖的衰減或損耗是一一個非常重要的、對光信號的傳播產生制約作用的特性。光纖的耗限制了沒有光放大的光信號的傳播距高,光纖的損耗主 要取決于吸收損耗、散射損耗、彎曲損耗三種損耗。光纖吸收損耗是由制造光纖的材料本身造成的,包括紫外吸收、紅外吸收和雜質吸收。864芯FTTX光纖總配線架品質①紅外和紫外吸收損耗
光纖材料組成的原子系統中,些處 于低能級的電子會吸收光波能量而躍遷到高能級狀態,這種吸收的中心波長在紫外的0.16um處,吸收峰很強,其尾巴延伸到光纖通信波段,在短波長區吸收峰值達1dB/km在長波長區則小得多,的0.05dB/km
功能要求 光纜固定保護應具有光纜引入、固定和保護裝置。864芯MODF總配線架產品說明該裝置將光纜引入并固定在機架上,保護光纜及纜中纖芯不受損傷。光纜金屬部分與金屬機架絕緣,固定后的光纜金屬護套及加強芯應可靠連接高壓防護接地裝置。
光纖終接功能應具有光纖終接裝置。864芯MODF總配線架產品說明該裝置便于光纜纖芯及尾纖接續操作、施工、安裝和維護。能固定和保護接頭部位平直而不位移,避免外力影響,保證盤繞的光纜纖芯、尾纖不受損傷。
調線功能通過光纖跳線連接器插頭,能迅速方便地調度光纜中的纖芯序號及改變光傳輸系統的路序。
光纜纖芯保護光纜開剝后纖芯有保護裝置,固定后引入光纖有終接裝置。
容量每機架容量和單元容量(按適配器數量確定)864芯MODF總配線架產品說明應在產品企業標準中作出規定,光纖終接裝置、光纖存儲裝置、光纖連接分配裝置在滿容量范圍內應能成套配置。
標識記錄功能機架及單元內應具有完善的標識和記錄裝置,用于方便地識別纖芯序號或傳輸路序,且記錄裝置應易于修改和更換。
864芯MODF總配線架詳細圖文分類光纖總配線架是業內的高密度光纖管理解決方案,可適應光纖網絡的快速增長和擴張,同時緩解水平走線槽內的交叉連接線堆積程度。864芯MODF總配線架詳細圖文分類可以便捷地訪問連接器和管理光纜,直接提高了網絡的可靠性和性能優勢。當運營商需要擴張網絡或對終端用戶配置新業務的時候,華脈通信的的光纖配線解決方案可以滿足其未來發展的長期需求。
安裝
機架和72芯終端熔接模塊為整件出廠,機架底部采用4個隨機供應的M10*80膨脹螺釘與地面緊固,頂部開有4個ф9的孔,用于機房里的線架(槽)相連。并排安裝時可拆取相鄰的側板這樣可方便架與架之間跳線。
使用與維護
機架結構
(1)機架為開放式結構,架體采用冷軋鋼板整體焊接,也可以根據需要安裝左右側板與前后門板,每扇門使用磁吸上下固定。機架的門采用活動鉸鏈,可靈活拆卸,門的開啟角不小于110°,可自由開合2000次不損壞。
(2)機架采用雙面操作,正面為線路側直列模塊,采用右出纖方式,用于外纜的固定、開剝、熔接與終端;背面為設備側橫列模塊,采用左出纖方式,用于設備纜固定和成端,機架右側有存儲跳纖的繞纖輪,線路和設備側模塊通用。
(3)機架適用于上、下進纜的環境中,上走線環境中光纖光纜從頂部進入機架,并有獨立的進纜(纖)孔;光纜(纖)進纖孔有護纖條保護,并有足夠大的過纖面積。
(4)機架的設備側橫列模塊區安裝有多層水平走線槽,以滿足多個機架并架時的走纖。
(5)架體有完善的保護接地系統。并保證光纜加強芯及其鎧甲層有效接地。
一、光纜固定與保護功能
1、光纜金屬部分與機架絕緣;
2、裸纖保護軟管耐擠壓、耐老化;
3、后期布放的光纜固定不影響前期已布放光纜的安全;
4、固定后的光纜金屬護套及加強芯可連接高壓防護接地裝置;
6、將光纜引入并固定在機架上,保護光纜及開剝后的纖芯不會受損傷;
5、光纜引入、固定和保護裝置能牢固可靠地固定光纜,不會出現松動、自由扭轉的現象。
光纖總配線架:橫列側連接光通信設備,主要連接設備側,提供設備側跳纖(尾纖)的固定。直列側連接外線光纜,主要為室外光纜提供開剝固定,提供加強芯接地裝置并能提供外纜成端的設備。直列和橫列通過跳線進行通信路由的分配連接。
可以采用75Q同軸電纜相連,應根據所訂設多路值號既可以使用120對聊電信相ISSM電信號只能采用75Q同軸電纜相連樓。連物的具體接口而定:對手HMHOMF安裝好適配器(將120接口轉換為750樓先在接口區與電樓口板粗對良
在紅外波段光纖基質材料石英玻璃的S-O鍵因振動吸收能量,這種吸收帶損耗在9.1pm、12.5um 及21um處峰值可達10dB/km 以上,因此構成了石英光纖工作波長的上限,紅外吸收帶的帶尾也向光纖通信波段延伸,但影響小于紫外吸收帶,在A-1.55um時由紅外吸收引起的損耗小于0.01dB/km.
②氫氧根離子OH吸收損耗
在石英光纖中OH鍵的基本請振波長為2.73jum與Si-O健的請振波長相互影響,在光到纖的傳輸頻帶內產生系列的吸收峰, 影響較大的是在1.39、1.24 及0.95um波長上, 在蜂之間的低損耗區構成了 光纖通信的三個傳輸窗口。目前由于工藝的改進,降低了氫氧根離子
OH濃度,這些吸收峰的影響已很小。