5G時(shí)代,中國(guó)已步入國(guó)際di一梯隊(duì),中國(guó)在5G技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)化方向已經(jīng)發(fā)揮yin lin作用。2015年后憑借華為和中興的高額研發(fā)投入,中國(guó)在5Gzhuan li庫(kù)中的zhuan li占比達(dá)到32%,處于quan qiu lin先地位。 5G催生了萬(wàn)物互聯(lián),新的應(yīng)用蘊(yùn)藏商機(jī)無(wú)限,給第三代半導(dǎo)體也帶來(lái)重要機(jī)遇。
第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。di一代、第二代yin技術(shù)在光電子
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5G通信半導(dǎo)體廠房、實(shí)驗(yàn)室、zhong央真空Edwards愛(ài)德華真空泵GXS160開(kāi)機(jī)調(diào)試介紹
5G時(shí)代,中國(guó)已步入國(guó)際di一梯隊(duì),中國(guó)在5G技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)化方向已經(jīng)發(fā)揮yin lin作用。2015年后憑借華為和中興的高額研發(fā)投入,中國(guó)在5Gzhuan li庫(kù)中的zhuan li占比達(dá)到32%,處于quan qiu lin先地位。 5G催生了萬(wàn)物互聯(lián),新的應(yīng)用蘊(yùn)藏商機(jī)無(wú)限,給第三代半導(dǎo)體也帶來(lái)重要機(jī)遇。
第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。di一代、第二代yin技術(shù)在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升已經(jīng)逼近材料的物理極限,迫切需要發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)。從性能上,碳化硅更適合一些高功率的場(chǎng)景,像特高壓、軌道交通、光伏、新能源汽車(chē)等。氮化鎵則更適合一些高頻率的場(chǎng)景,如通信基站、數(shù)據(jù)中心。
最近由深圳市托理拆利機(jī)電設(shè)備有限公司為5G通信半導(dǎo)體廠房做了兩套控制真空系統(tǒng),Edwards愛(ài)德華真空泵GXS160安排開(kāi)機(jī)調(diào)試,GXS愛(ài)德華真空泵用于半導(dǎo)體,實(shí)驗(yàn)室,zhong央真空,廠務(wù)真空,主要表現(xiàn)在GXS在各種應(yīng)用中提供出色性能,可定制,無(wú)污染,無(wú)油,變頻節(jié)能,無(wú)噪音,是敏感工作環(huán)境的理想選擇。
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