CX7509采用SOP一8封裝，大功率16W。CX7509使用原邊取樣來進行精確的恒流、恒壓控制，可以省去一般應用中的光耦與TL431。
CX7509在恒流模式下，輸出功率可由CS腳外接的取樣電阻Rs設定。在恒壓模式下，芯片的多種工作模式可以保證較高的整體轉換效率。
CX7509此外，芯片內置有線壓降補償，由此取得良好的負載調整率。CX7509在恒流模式下工作于PFM狀態，在恒壓模式下工作于PWM狀態，輕載時降頻工作。
一、概述
CX7509 是一顆電流模式PWM 控制芯片，內置 650V 高壓功率 MOSFET，應用于功率在 18W 以內的方案。CX7509 在 PWM 模式下工作于固定開關頻率，這個頻率是由內部精確設定。在空載或者輕載時，工作頻率由 IC 內部調整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。CX7509 在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進一步減小待機時的功耗。芯片內置有斜坡補償電路，當電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發生，改善系統的穩定性。內置有前沿消隱時（Leading-edge blanking time），消除緩沖網絡中的二極管反向恢復電流對電路的影響。CX7509 采用了抖頻技術，能夠有效改善系統的 EMI 性能。系統
的跳頻頻率設置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統產生噪音。CX7509 內置多種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通過內部的圖騰柱驅動結構可以更好的改善系統的EMI 特性和開關的軟啟動控制。
二、特點
l 全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時待機功耗小于 100mW
l 內置 650V 高壓功率管
l 4ms 軟啟動用來減少MOSFET 上 Vds 的應力
l 抖頻功能，改善EMI 性能
l 跳頻模式，改善輕載效率，減小待機功耗
l 無噪聲工作
l 固定 65KHz 開關頻率
l 內置同步斜坡補償
l 低啟動電流，低工作電流
l 內置前沿消隱(LEB)功能
l 過載保護（OLP），逐周期限流保護（OCP）
l VDD 過壓保護（VDD OVP），欠壓保護（UVLO），VDD 電壓箝位
l 過溫保護（OTP）
l SOP8 無鉛封裝
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一、概述
CX7538 是一顆高性能的開關電源次級側同步整流控制電路。在低壓大電流開關電源應用中，輕松滿
足 6 級能效，是理想的超低導通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達 150kHz 的開關頻率應用，并
且支持 CCM / QR / DCM 等開關電源工作模式應用，其極低導通壓降產生的損耗遠小于肖特基二極管的導
通損耗，*提高了系統的轉換效率，大幅降低了整流器件的溫度。
芯片內置耐壓高達 85V 的 NMOSFET 同步整流開關，且具有極低的內阻，典型 RdsON 低至 10mΩ，
可提供系統高達 3A 的應用輸出；還內置了高壓直接檢測技術，耐壓高達 200V；以及高達 30V 的供電電
壓，使得控制器可直接使用高至 24V 的輸出電壓整流應用中，*擴展了使用范圍。
高集成度的電路設計使得芯片外圍電路極其簡單，在 QC 與 PD 5V/9V/12V 應用中，只需搭配 1 顆電
容，即可構建一個完整的同步整流應用系統。
二、特點:
l 支持開關電源 CCM/QR/DCM 模式
l 的 5V/9V/12V 快充同步整流應用
l 內置 MOS 耐壓達 85V
l 內置 MOS 的導通電阻低至 10mΩ
l 較傳統肖特基提升效率 2~6%
l 極寬的工作電壓范圍 4.5V 至 36V
l 可 5V 直接供電或由輔助繞組供電
l 靜態工作電流可低至 600uA
l 支持開關電源頻率至 150KHz
l 至簡外圍應用無需任何原件
l SOP8 封裝形式
三、應用范圍:
l 5V3A~12V2A、快充電源
l 18W-PD 快充電源
l 高能效開關電源
典型應用:QC2.0、5V3A、9V2A、12V2A
