半導體功率器件靜態測試系統集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，p*電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。

IGBT靜態測試方案.jpg 產品特點

高電壓：支持高達3KV高電壓測試；
大電流：支持高達4KA大電流測試；
高精度：支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度；
可定制開發：可根據用戶測試場景定制化開發；

技術指標

PMST系統配置	關鍵參數	備注
P系列脈沖源表	PW高達30V/10A、300V/1A	柵極特性測試
	CW高達300V/0.1A、30V/1A
	最小脈沖寬度200uS
HCP系列大電流脈沖源表	PW高達30V/100A	IGBT導通壓降、二極管瞬時前向電壓測試
	CW高達10V/30A
	最小分辨率30uV/10pA
	最小脈沖寬度80uS
HCPL系列高電流脈沖電流源	單臺PW高達12V/1000A，可多臺并聯
HCPL系列高電流脈沖電流源	最小脈沖寬度50uS
E系列高電壓源測單元	CW高達3000V/100mA	IGBT擊穿電壓測試
	最小分辨率10mV/100pA
	測量精度 0.1%
電橋	頻率范圍：20Hz~1MHz	IGBT各級間電容測試
	HVP系列提供0~400V直流偏置電壓 S系列提供0~30V直流偏置電壓
	預置偏置電阻100kΩ
矩陣開關	/	電路切換及源表切換
主機	/
測試夾具	根據器件封裝形式定制