IGBT 一種是功率半導體器件，用于電力轉換、變頻，相當于電力電子領域的“CPU"。融合了 BJT和 MOSFET的性能優勢，具有高耐壓，大電流，低導通損耗等特點。
隨著技術的升級，芯片面積、工藝線寬、通態功耗、關斷時間、開關功耗均不斷減小，器件耐壓值由600V升至 7000V。其主要應用包括傳統的工業控制和家電，以及新興的電動汽車、新能源發電等領域。

車規IGBT靜態測試系統認準武漢生產廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。

那么IGBT器件靜態參數測試需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

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E300高電壓源測單元

HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。

設備可應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設備可以獨立完成“電流-導通電壓"掃描測試。

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HCPL100型高電流脈沖電源

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態、數字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業使用者，特別適合現代半導體、納米器件和材料、有機半導體、印刷電子技術以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

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P系列脈沖源表

車規IGBT靜態測試系統簡介

功率器件靜態參數測試系統集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，p*電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。

產品特點

高電壓：支持高達3KV高電壓測試；
大電流：支持高達4KA大電流測試；
高精度：支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度；
可定制開發：可根據用戶測試場景定制化開發；

技術指標

車規IGBT靜態測試系統應用

功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；

普賽斯儀表車規IGBT靜態測試系統優點

量程范圍寬—具有高電壓和大電流特性，電壓可高達3kV，電流可高達4000A（多模塊并聯）。
測量精度高—采用多量程設計架構，各量程下均可保證0.1%精度，具有uΩ級精確測量、p*電流測量能力。
模塊化測量單元—測量單元采用模塊化設計理念，可根據測試需求搭配不同規格測量單元。系統預留有升級空間，后期可添加或升級測量單元，降低整體使用成本。
測試效率高—內置專用開關矩陣夾具，符合國標測試要求，根據測試項目自動切換電路與測量單元，提高測試效率。