噴射型AP等離子處理系統CRF-APO-DP1010-D
名稱(Name) 噴射型AP等離子處理系統
型號(Model) CRF-APO-DP1010-D
電源(Power supply) 220V/AC,50/60Hz
功率(Power) 1000W/25KHz
處理高度(Processing height) 5-15mm
處理寬幅(Processing width) 1-6mm(Option)
內部控制模式(Internal control mode) 數字控制
外部控制模式(External control mode) RS485/RS232數字通訊口、
模擬量控制口 工作氣體(Gas)
Compressed Air (0.4mpa)
產品特點:可選配多種類型噴嘴,使用于不同場合,滿足各種不同產品和處理環境;
具有RS485/232數字通訊口和模擬量控制口,滿足客戶多元化需求。
設備尺寸小巧,方便攜帶和移動,節省客戶使用空間;
可In-Line式安裝于客戶設備產線中,減少客戶投入成本;
使用壽命長,保養維修成本低,便于客戶成本控制;
應用范圍:主要應用于電子行業的手機殼印刷、涂覆、點膠等前處理,手機屏幕的表面處理;工業的航空航天電連接器表面清洗;通用行業的絲網印刷、轉移印刷前處理等。
采用優質的氧化鋁和陶瓷制作的等離子清洗機系統,具有優異的耐久性,價格低廉反應離子蝕刻系統與各向異性反應離子蝕刻獨立可以完成清洗活化等工作。
等離子體限制環將等離體直接聚焦到晶片上,以加速蝕刻,提供均勻的等離子覆蓋,并將等離子與晶片本身相隔離,而不是將其與周圍區域相隔離。由于提高蝕刻率的能力,而無需提高電極溫度或提高夾頭的偏置。此環由絕緣非導電材料制成,鋁等離子體與鋁之間的導電路徑*于晶片區域。在環面膠帶和框架片之間有2mm的間隙。因為不存在等離子體產生或在晶片和帶子底部,所以*限度地減少了底切和分層,并且在晶片表面不會有濺射或帶子沉積。等離子體蝕刻系統專為*的蝕刻應用而設計,例如:可用于封裝的介電材料,去除氧化物、氮化物、聚酰亞胺、硅、金屬、ILED或IC器件,去除環氧樹脂用的中間膜,去除光致抗蝕劑用的去除。
此外,真空等離子清洗系統底盤還可作為集成的安全外殼使用,用于容納等離子體室、控制電子設備、13.56MHz射頻發生器和自動匹配網絡(系統外僅有真空泵)。透過可互相鎖定的門或可拆卸的面板提供維持通道。
采用優質的氧化鋁陽極材料和陶瓷材料制成的真空等離子清洗系統,具有優異的耐久性。等離子腔體室可配置“6”或“8”電源電極甚至更多,以適應各種晶片尺寸、零件、IC封裝及其它元件。
高性能等離子體蝕刻用于故障分析或MEM和LED器件制造,真空等離子清洗系統適用于各種工藝氣體,包括:Ar,O2,H2/成形氣體,He,CF4和SF6。
真空等離子清洗機系統清洗活處理特點及優點:
(1)觸摸屏控制和圖形用戶界面,提供實時的過程數據和反饋。
(2)采用13.56MHzRF生成 和自動匹配網絡,提供了很好的過程重復性。
(3)在等離子體室中集成的溫度控制環是可控制的。