MAB超大太赫茲面源黑體
典型的面源黑體不能用于模擬在THz帶（0.1mm 至1mm）和亞THz帶（波長從1mm至10mm）的黑體 目標，因為這樣的黑體的發射率開始在約0.1mm處 下降和波長超過1mm時會變得非常低 。 原因是在 典型的紅外黑體中使用的高發射率涂料對于THz光 輻射變得部分半透明，特別是在約0.5mm以上的較 長波長。
由于以下原因，THz的面源黑體的設計是一個技 術挑戰：a）需要THz/短微波光譜帶中的高吸收率 涂層的發射器以確保高發射率，b）對THz/ 微波成 像儀需要大面源黑體且低分辨率; c）需要高的溫度 均勻性，時間穩定性和精度以使得能夠校準 THz /微波傳感器。
MAB黑體是有不同發射體面積，不同溫度范圍 的一系列不同型號，并且針對不同光譜帶而優化。 MAB黑體的特征在于良好的溫度分辨率，時間穩定 性，溫度均勻性，以及溫度不確定性和高發射率。 所有這些特性使得MAB黑體成為用于測試/校準 Thz /亞太赫茲成像儀或這種輻射的其它儀表的系統 中的黑體的理想選擇。
產品特點:
?覆蓋THz和亞THz頻帶的寬光譜范圍
?大面積達到 1mx1m
?高發射率在Thz /亞太赫茲
?在大黑體面積上具有良好的熱均勻性
? 溫度分辨率1 mK和溫度穩定性10mK
?高速，易于從PC控制
?緊湊，可靠的設計（黑體與控制器集成）
版本
MAB黑體可以以一系列版本的形式交付。 有三個主要標準：黑體發射體的尺寸，光譜帶和溫度范圍。
發射體尺寸由黑體代碼表示：MAB-XD其中X是以英寸為單位的發射體邊長的平方的近似尺寸。通常提供以 下型號：MAB-6D，MAB-12D，MAB-16D，MAB-20D，MAB-24，MAB-50.可以看出，Inframet可以提供具有 大到1000x1000mm發射器的MAB黑體 50D）。 然而，應當注意，在最小的MAB-6D黑體和MAB-50D黑體之間 存在大的差異。后者的黑體要大得多，需要更多的力量，更慢，更貴。因此，建議在訂購黑體時不要夸大尺 寸。
接下來，MAB黑體可以針對三個不同的光譜范圍進行優化：
A- from 0.1 mm to 1mm (0.3-3 THz),
B - from 0.5 mm to 4 mm (75GHz -1.5THz), C - from 2 mm to 10 mm (30GHz-150GHz), D- from 0.5mm to 10 mm (30 GHz- 1.5THz), D- from 0.5mm to 30 mm (10GHz - 1.5THz).
通常，波長越長越難以同時實現高發射率，高溫均勻性和高精度的溫度測量。 因此，建議在訂購黑體時不要夸
大波長。
大面源THz 黑體
最后，標準版本中的MAB黑體在等于25℃（代碼ST）的環境溫度下提供+ 5℃至70℃的溫度范圍。 但是， 可以修改溫度范圍:
-5?C to +95?C - code EX
+5?C to 140?C - code HT,,
-30?C to +70?C - code LT.
總而言之，MAB黑體的版本使用三部分代碼：一指尺寸，二指光譜帶，三指溫度范圍。
示例：MAB-16D-BST表示有效面積為400x400mm的黑體，針對0.5 mm至4 mm的光譜帶進行了優化，其提供的 溫度范圍為+ 5°C至70°C。
提供三個其他選項:
?熱處理爐改良 (TC),
?煙霧環境 (FE),
?長電纜 (CAB).
TC選項意味著MAB黑體可在環境溫度（-20°C?+ 60°C）下在溫度室中使用。 這種能力通過使用能夠承 受溫度和濕度的特殊部件的電子設計來實現。 這種黑體提供從低溫：-30℃到高溫（+ 90℃）的范圍。 然而，應該注意的是，只有當腔室中的溫度也低（不高于- 10℃）時才能實現低溫- 30℃，因為差分溫度范圍與 典型黑體相同。 接下來，標準黑體不應該在熱處理爐中使用，因為電子器件將被環境溫度損壞
FE選項意味著黑體被設計成在環境包含水滴時能夠承受人造/自然霧化條件。 CAB選項意味著黑體被優化為使用長電纜控制。 典型的長度可達50米，但可以擴展到300米。
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