電子級超純水中國國家標準（GB/T11446.1-1997）
1范圍
本標準規定了電子級水的級別、要求、試驗方法和檢驗規則.
本標準適用于電子元器件生產和清洗用水。
2引用標準
下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用麗構成為本標準的條文。本標準出版時，
所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準版本
的可能性。
GB/T 11446.3——1997 電子級水測試方法通則
GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試方法
GB/T 11446.5——1997 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法
GB/T 11446.6——1997 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法
GB/T 11446.7——1997 電子級水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測試方法
GB/T 11446.8——1997 電子級水中總有機碳的測試方法
GB/T 11446.9——1997 電子級水中微粒的儀器測試方法
GB/T 11446.10——1997 電子級水細菌總數的濾膜培養測試方法
3定義
本標準采用下列定義。
3.1電子級水electronic grade water
制造電子元器件工藝過程中所用的高純水。
3.2電阻率resistivity
在規定溫度下,1 cm2水溶液兩相對面之間測得的電阻值。通常用符號P表示，單位為Ω﹒cm，純水的理論電阻率為18.3 MΩ﹒cm (25℃)。
3.3全硅total silicon
水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態存在的硅的總量。
3.4可溶性硅soluble silicon
以單一分子狀態存在于水中的溶解性硅酸鹽。
3.5微粒性物質granular matter
除氣體以外，以非液態分散在水中，并形成非均相混合物的物質。
3.6總有機碳(TOC) total organic carbon
水中以各種有機物形式存在的碳的總量。包括易被一般強氧化劑氧化的有機物和需用特殊方法氧化的有機物。
3.7吸附absorption
某些多孔性粒狀物質由于表面活性作用而具有吸著某些物質的能力。
3.8凝聚coagulation
在源水中加入某種電解質后，水中帶有電荷的膠體微粒被電解質中的異種電荷中和，從而使其聚集成較大顆粒而沉降的現象。
3.9絮凝flocculation
水中的微粒在一定條件下相互碰撞而集結為絮狀沉淀的現象。絮凝一般是在凝聚作用后
緩慢進行，可除去水中更細的微粒。
3.10砂濾器sａnd filter
用于盛放不同直徑的砂粒，以除去源水中懸浮固體和混濁物的裝置。
3.11活性碳過濾器activated carbon filter
裝有粒狀活性碳的過濾器，用于除去水中的可溶性有機物和過量的殘余氯。
3.12離子交換ion exchange
一種不溶性物質與一種液體之間相互交換離子的可逆過程，該過程中物質并無實質性結構變化。
3.13去離子水deionized water
經過離子交換處理，除去了呈離子形式的雜質的高純水。
3. 14再生regeneration
離子交換過程操作循環中的一部分。在該部分中，用一定量的化學試劑通過離子交換樹脂使其恢復交換能力。
3.15復合床complex bed
將陽離子交換樹脂和陰離子交換樹脂分別裝入兩個離子交換柱中，將兩柱串聯，使水依次通過兩個柱而被純化，復合床處理水的純度雖不及混合床，但操作較簡單。
3.16混合床mixed bed
將陽離子交換樹脂和陰離子交換樹脂混合均勻，填充于同一離子交換柱中，其純化效果相當于許多組合床串聯使用，出水質量好但再生比較麻煩。
3.17電滲析electrodialysia
一種分離水中離子的方法。在電滲析器中，陰陽兩極之間用交替排列的陰、陽離子交換膜分隔成一系列小室，水流通過小室時，在直流電場作用下，水中陽離子向陰極方向移動，但不能通過陽膜；陰離子則相反。這樣就形成相間存在的濃、淡水室而達到提純水的目的。
3.18反滲透reverse osmosis
亦稱逆向滲透。一種利用滲透原理進行分離的方法。用半透膜將濃水和淡水隔開，并在濃水上施加比滲透壓更強的機械壓力，則濃水中大部分水透過半透膜而雜質仍留在其中，達到分離提純的目的。
3.19反滲透膜reverse osmosis membrane
用于反滲透法制備純水的一種合成薄膜，其孔徑一般為0. 02 μm或更小，可用于除去無機離子、有機物、細菌等，使水純化。
3. 20微孔膜濾器membrane filter
一種平均孔徑（直徑）大于0. Olμm的薄膜，能把大于平均孔徑的微粒截留在其表面或附近。
3.21超過濾uhrafihration
一種過濾方法，在一定壓力下使水流通過超濾膜以除去水中的極細微粒、膠體和細菌等。
3.22終端terminal
高純水生產流程中經過各道凈化工藝后，水的出口或使用地點。
4、分類
4.1電子級水分為四個級別；I級、Ⅱ級、Ⅲ級和Ⅳ級。
4.2標記
I級電子級水標記為：EW-I；
I級電子級水標記為；EW-Ⅱ；
I級電子級水標記為；EW-Ⅲ；
Ⅳ級電子級水標記為.EW-Ⅳ。
5要求
電子級水的技術指標應符合表1的規定。
| 項目級別 | EW-I | EW-II |
| 電阻率MΩ.cm（25℃） | 18以上（95%時間）不低于17 | 15（95%時間）不低于13 |
| 硅≤μg/l | 2 | 10 |
| >1μM微粒數≤個/ml | 0.1 | 5 |
| 細菌個數≤個/ml | 0.01 | 0.1 |
| 銅≤μg/l | 0.2 | 1 |
| 鋅≤μg/l | 0.2 | 1 |
| 鎳≤μg/l | 0.1 | 1 |
| 鈉≤μg/l | 0.5 | 2 |
| 鉀≤μg/l | 0.5 | 2 |
| 氯≤μg/l | 1 | 1 |
| 硝酸根≤μg/l | 1 | 1 |
| 磷酸根≤μg/l | 1 | 1 |
| 硫酸根≤μg/l | 1 | 1 |
| 總有機碳≤μg/l | 20 | 100 |
6試驗方法
6.1電阻率
電子級水的電阻率按GB/T11446.4--1997的測試方法進行測定。
6.2全硅含量（以二氧化硅計）
電子級水全硅（以二氧化硅計）含量按GB/T11446.6--1997的測試方法進行測定。
6.3微粒數
電子級水中微粒數按GB/T11446.9--1997的測試方法進行測定。
6.4細菌總數
電子級水中細菌總數按GB/T11446.10--1997的測試方法進行測定。
6.5痕量金屬含量
電子級水中痕量金屬的含量按GB/T11446. 5--1997的測試方法進行測定。
6.6氯離子，硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的含量
電子級水中氯離子、硫酸根離子、硝酸根離子、磷酸根離子等陰離子的含量按GB/T 11446.7-- 1997的測試方法進行測定。
6.7總有機碳含量
電子級水中總機碳含量按GB/T11446.8--1997的測試方法進行測定。
7 檢驗規則
7.1檢驗部門
電子級水的檢驗均應在制造廠的水質檢驗部門進行。
7.2檢驗分類
電子級水的檢驗分為交收檢驗和例行檢驗。
7.3交收檢驗（抽驗項目）
7.3.1電子級水技術指標中電阻率、鈉離子、全硅（以二氧化硅計）為交收檢驗項目。
7.3.2在用水終端采樣試驗后檢驗結果如有一項不合格時，應再次采樣進行檢驗，如仍有一項指標不合格，應提出改進措施直到水質合格。
7.4例行檢驗（全檢項目）
例行檢驗每年進行一次，當制水條件發生變更時也應進行例行檢驗。
7.4.1檢驗項目為表1規定的全部技術指標要求。
7.4.2在用水終端采樣后進行例行檢驗，檢驗結果如有一項以上不合格時，應再次采樣進行檢驗，如仍有一項以上指標不合格，應提出改進措施直到水質合格。
8 采樣、貯存、運輸及標志
8.1 電子級水的采樣、貯存運輸按GB/T11446.3--1997的規定。
8.2標志：在用水終端采樣進行檢驗時，水質合格后應附有檢驗合格證，合格證應注明；
a) 名稱及級別；
b) 各項技術指標；
c) 制水單位；
d) 供水日期；
e) 檢驗員簽章及檢驗日期。
