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沈陽芯碩科技有限公司
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PWR 列舉了芯片內部與電源相關的所有資源，包括內部的電源電壓調節器、可編程的電源電壓監測器、低功耗模式。
3 電源控制(PWR)
3.1 綜述
PWR 列舉了芯片內部與電源相關的所有資源，包括內部的電源電壓調節器、可編程的電源電壓監測器、低功耗模式。
3.2 特性
l 集成的電源調節器，提供 3 路內部電源、均可通過 ADC 內部通道進行訪問：
u BG1v5 1.5V 精度 5%
u BG1v2 1.2V 精度 5%
u BG1v0 1.0V 精度 0.5%
l 多擋位、支持復位或中斷的可編程電源電壓檢測器
l 在低功耗模式下，提供兩種低功耗模式：
u 睡眠模式
u 深度睡眠模式
l 深度睡眠下、典型功耗僅為 0.8uA
3.3 電源調節器
PT32x00x 支持在超寬電壓范圍內工作、工作電壓(VDD)詳見《PT32x00x 數據手冊》。通過內置的電源調節器提供內部所需的 1.5V 電源 BG1v5、1.2V 參考電源 BG1v2 以及 1.0V 參考電源 BG1v0。所有的內部電源均可通過 ADC 內部通道進行訪問、詳見 ADC(控制寄存器 ADC_CR)的"CHS"位描述。
3.3.1 電源調節器
復位后電源調節器總是使能的。根據系統運行狀態、它以 2 種不同的模式工作。
1.運行模式：調節器以正常功耗模式提供 BG1v5、BG1v2、BG1v0 三路電源；BG1v5 作為核 心電源共給內部 CPU、存儲器和數字外設，并且與 BG1v2、BG1v0 一起接入 ADC 的內部模擬通道中.
2.低功耗模式：提供睡眠和深度睡眠兩種低功耗模式，電源調節器將遞進的關閉片內電源、時鐘、外設，以使系統功耗大大降低。
3.3.2 電源復位條件
PT32x00x 內部有一個完整的上電復位(PUR)和掉電復位(PDR)電路，當 VDD 電壓達到工作電壓時系統就能正常工作。 當 VDD 低于的限位電壓 VPUR/VPDR時，系統保持為復位狀態。
3.3.3 可編程的電源電壓監測器(PVD)
用戶可以利用 PVD 對 VDD 電壓進行監測，(電源電壓監測器配置寄存器 PWR_PVDR)中的"PLS"位用于設定 PVD 監控 VDD 電壓的閾值。通過將(PWR_PVDR 寄存器)中的 PVDE 位置’1’以使能 PVD。
PVD 事件支持用戶通過復位和中斷兩種形式進行訪問，其對應的中斷事件在內部被連接到 NVIC 的第 20 號中斷，如果該中斷在系統中斷使
能寄存器 ISER 中被使能，一旦發生該事件、NVIC 就會響應 PVD 的中斷請求。PVD 事件的觸發/解除機制由硬件自動控制，當 VDD 下降到"PLS 位"所設定的閾值時，PVD 中斷被觸發，當 VDD 上升到 PVDUV 時，PVD 中斷被解除。這一特性可用于用于執行緊急關閉任務。
3.4 低功耗模式
系統或電源復位以后，系統處于運行模式。當系統無需繼續運行時，可以利用多種低功耗模式來節省功耗；例如等待某個外部事件時，用戶可以根據低電源消耗、喚醒時間和可用的喚醒源等條件，選定一個低功耗模式。
PT32x00x 提供了兩種低功耗模式：
l 睡眠狀態(Cortex™-M0 內核停止，但包括 Cortex-M0 核心的外設在內的所有外設，如 NVIC、SysTick 等仍在運行，IFMC 無法訪問)
l 深度睡眠狀態(除 LSI 外的所有時鐘均已停止工作，相關的片內電源以及外設被強制關閉)。此外，在運行模式下，還可以通過以下方式降低功耗：
l 失能未被使用的時鐘源
l 失能未被使用但已被使能的外設。
l 將不使用的 GPIO 做內部下拉處理
3.4.1 進入低功耗模式
通過將配置系統控制寄存器（SCR）中的 SLP 位置’1’以選定系統進入低功耗模式時、系統處于睡眠狀態還是深度睡眠狀態。系統進入低功耗模式有兩種方法：
l 執行 WFI 或 WFE 指令以進入低功耗模式
l 將系統控制寄存器（SCR）中的 SOE 位置’1’，當系統從低優先級的中斷處理程序中退出時，立即進入低功耗模式
注意：進入低功耗模式前，應該將所有未使用到的管腳配置為下拉輸入，并清除所有管腳的復用功能可使系統功耗得到優化。
3.4.2 睡眠狀態
表 3-1 羅列了系統處于睡眠狀態時、片內資源的工作狀態。如需優化功耗、在進入睡眠狀態前，用戶可手動關閉無需在低功耗模式下工作的外設以降低功耗。
3.4.3 深度睡眠狀態
表 3-1 羅列了系統處于深度睡眠狀態時、片內資源的工作狀態。在深度睡眠狀態下，只有 LSI 時鐘掛載的外設可以正常運行，內核的寄存器、內存的信息仍保存，程序在喚醒后仍從上一次停止處執行；除表 3-1 所羅列的在深度睡眠狀態下被強制關閉外設外，其他外設均不會被強制關閉，在運行模式下使能的外設、在進入深度睡眠前應該手動關閉以避免額外功耗；如需進一步的優化功耗，可將 LSI 時鐘關閉，但 LSI 時鐘掛載外設將無法工作，此時、低功耗
模式的喚醒僅支持外部中斷喚醒。
注意：GPIO 外部中斷喚醒深度睡眠時，僅支持雙沿中斷、高電平中斷和低電平中斷。
3.4.4 喚醒方式
當系統處于低功耗模式時，如果是睡眠狀態，根據進入低功耗模式的指令，有相應的喚醒方式：
l WFI 指令：任意一個被 NVIC 響應的外設中斷都能將系統從睡眠模式喚醒。
l WFE 指令：包括所有中斷在內、所有內核支持的事件特別地、當(系統控制寄存器 SCR)的"SWC"位為’1’時：所有中斷或事件均可喚醒。
注意：使用 WFE 喚醒睡眠狀態，需要在(中斷掛起清除寄存器 ICPR)中清除相應的掛起標志。
如果是深度睡眠狀態，根據進入低功耗模式的方法，有相應的喚醒方式：
l WFI 指令：LSI 時鐘掛載外設的中斷或者外部中斷
l WFE 指令：LSI 時鐘掛載外設的中斷、外部中斷、復位事件或調試模式請求事件特別地、當(系統控制寄存器 SCR)的"SWC"位為’1’時：LSI 時鐘掛載外設的中斷、外部中斷、復位事件或者調試模式請求事件均可喚醒。
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