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沈陽芯碩科技有限公司
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華大電子MCU CIU32L061x8 系列是基于 Arm®Cortex®-M0+內核超低功耗、寬電壓工作范圍的 32 位安全 MCU 產品。CIU32L061x8 支持多種封裝，高頻率可達 48MHz。
5 、Flash 存儲器（Flash）
5.1 簡介
Flash 存儲器連接在 AHB 總線上，由 Flash 控制器統一管理，可對存儲器執行取指、讀取、編程和擦除操作，并具有安全訪問機制和讀寫保護等功能。
5.2 Flash 主要特性
l 高達 128 KB 的用戶存儲空間
- 塊大小：16 KB
- 頁大小：512 字節
l 32-bits 位寬讀取/寫入
l 支持頁擦除、塊擦除、批量擦除
l 可配置 3 種讀出保護等級（RDP）
l 2 塊可配置的代碼讀出保護區域（PCROP）
l 2 塊可配置的寫入保護區域（WRP）
l 可配置大小的用戶安全存儲區域
5.3 Flash 功能描述
5.3.1 Flash 存儲器組成
Flash 存儲器按 32-bits 位寬執行讀寫訪問，可存儲指令和數據。
Flash 存儲器的組成如下：
l User flash 區：用于存儲用戶程序和數據，存儲空間為 128KB，分成 8 個
塊（Block），每個塊包含 32 個頁（Page），每頁 512 字節；
l System memory 區：用于存儲 Bootloader 和算法 API，存儲空間為14KB；
l Option bytes 區：用于存儲外設和存儲器保護配置的選項字節；
l Engineer 區：用于存儲 UID、TS/BGR 校準值；
l OTP 區：一次性可編程區域，共 512 字節。
5.3.2 Flash 讀取訪問等待周期
Flash 存儲器連接在 AHB 總線上，讀取 Flash 時使用 HCLK 時鐘。當 HCLK 的 時鐘頻率超出 Flash 存儲器的工作頻率時，就會造成數據讀取錯誤，此時需要插入等待周期。 Flash 訪問控制寄存器（FLASH_ACR）中的 LATENCY[1:0]位域，用于配置 Flash 讀取訪問的等待周期，HCLK 時鐘頻率與 Flash 讀取訪問等待周期的對應關系見 下表。
為保證 Flash 讀取訪問不出現異常或錯誤，當要改變 HCLK 的時鐘頻率時，必須按照特定步驟進行配置。
l 提高 HCLK 頻率的配置步驟：
1） 通過配置 FLASH_ACR 寄存器中的 LATENCY[1:0]位域，增大 Flash
讀取訪問的等待周期；
2） 讀取 LATENCY[1:0]位域，檢查等待周期已配置成功；
3） 提高 HCLK 頻率，可通過配置 RCC 時鐘配置寄存器（RCC_CFG）
中的SYSW[2:0]位域，切換更高頻率的時鐘源，或通過配置HPRE[2:0]
位域，減小系統時鐘的分頻值；
4） 配置 SYSW[2:0]位域后，必須對 RCC_CFG 寄存器中的 SYSWS[2:0]
位域進行檢查，確認系統時鐘已切換完成。
l 降低 HCLK 頻率的配置步驟：
1） 降低 HCLK 頻率，可通過配置 RCC 時鐘配置寄存器（RCC_CFG）
中的SYSW[2:0]位域，切換更低頻率的時鐘源，或通過配置HPRE[2:0]
位域，增大系統時鐘的分頻值；
2） 配置 SYSW[2:0]位域后，必須對 RCC_CFG 寄存器中的 SYSWS[2:0]
位域進行檢查，確認系統時鐘已切換完成；
3） 通過 FLASH_ACR 寄存器中的 LATENCY[1:0]位域，減小 Flash 讀取
訪問的等待周期；
4） 讀取 LATENCY[1:0]位域，檢查等待周期已配置成功。
5.3.3 Flash 解鎖
為防止 Flash 被意外修改，增加了保護措施，必須向特定寄存器寫入密鑰，才能解鎖相關功能的配置權限。
5.3.3.1 Flash 控制寄存器解鎖
復位后，Flash 控制寄存器（FLASH_CR）將處于寫保護鎖定狀態。要配置
FLASH_CR 寄存器，需首*行解鎖操作。
FLASH_CR 寄存器的解鎖操作，必須嚴格按照以下步驟順序執行：
1） 向 FLASH_CRKEY 寄存器寫入密鑰 1：0xE57A 1A85；
2） 向 FLASH_CRKEY 寄存器寫入密鑰 2：0x7C6E 8391；
3） 檢查 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位，當該位清 0 時，表明 FLASH_CR 寄存器已解鎖。解鎖完成后，才能對 FLASH_CR 寄存器進行配置。
注意：FLASH_CR 寄存器中與選項字節相關的控制位（OBL_LAUNCH 和 OPTSTRT）， 必須在 Flash 選項字節解鎖后才能進行配置。 密鑰必須嚴格按照順序寫入，如果出現以下情況，將產生總線錯誤同時觸發 HardFault 中斷，直到再次復位后，才能重新對 FLASH_CR 寄存器進行解鎖：
l 向 FLASH_CRKEY 寄存器寫入錯誤的密鑰值；
l 解鎖順序錯誤，先向 FLASH_CRKEY 寄存器寫入密鑰 2：0x7C6E 8391；
l 解鎖后繼續向 FLASH_CRKEY 寄存器寫入任意值（包括密鑰）。
將 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位重新置 1，能恢復 FLASH_CR 寄存器的寫 保護鎖定狀態。通過復位，也能使 FLASH_CR 寄存器恢復成寫保護鎖定狀態。
注意：當 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位為 1 時，對 FLASH_CR 寄存器的寫入將無效，FLASH_SR 寄存器中的 PESERR 標志將置 1，Flash 當前操作將繼續正常執行。
5.3.3.2 Flash 選項字節解鎖
復位后，Flash 選項字節處于寫保護鎖定狀態，所有的選項字節加載寄存器、
FLASH_CR 寄存器中的 OBL_LAUNCH 位和 OPTSTRT 位，都會被寫保護。要對選項字節進行更新，就先要進行解鎖操作。
Flash 選項字節的解鎖操作，必須嚴格按照以下步驟順序執行：
1） 先解鎖 Flash 控制寄存器 FLASH_CR（詳見： Flash 控制寄存器解鎖）；
2） 向 FLASH_OPTKEY 寄存器寫入密鑰 1：0x6A89 4D7B；
3） 向 FLASH_OPTKEY 寄存器寫入密鑰 2：0x7C31 1F5A；
4） 檢查 FLASH_CR 寄存器中的 OPTLOCK 位，當該位清 0 時，表明 Flash選項字節已解鎖。解鎖完成后，才能對選項字節加載寄存器及其控制位（OBL_LAUNCH 和 OPTSTRT）進行配置。
密鑰必須嚴格按照順序寫入，如果出現以下情況，將產生總線錯誤同時觸發
HardFault 中斷，直到再次復位后，才能重新對 Flash 選項字節進行解鎖：
l 向 FLASH_OPTKEY 寄存器寫入錯誤的密鑰值；
l 解鎖順序錯誤，先向 FLASH_OPTKEY 寄存器寫入密鑰 2：0x7C31 1F5A；
l 解鎖后繼續向 FLASH_OPTKEY 寄存器寫入任意值（包括密鑰）；
l 在對 FLASH_CR 寄存器解鎖前，向 FLASH_OPTKEY 寄存器寫入任意值
（包括密鑰）。 將 FLASH_CR 寄存器中的 OPTLOCK 位重新置 1，能恢復 Flash 選項字節的寫保護鎖定狀態。通過復位，也能使 Flash 選項字節恢復成寫保護鎖定狀態。當 FLASH_CR 寄存器恢復成寫保護鎖定狀態時(LOCK 位置 1)，Flash 選項字節也會被恢復成寫保護鎖定狀態，OPTLOCK 位將自動置 1。
5.3.3.3 Flash 掉電控制位解鎖
復位后，Flash 訪問控制寄存器（FLASH_ACR）中的 PDEN 位將處于寫保護鎖定狀態，該位用于控制 Flash 的掉電。要配置 PDEN 位，就要*行解鎖操作。PDEN 位的解鎖操作，必須嚴格按照以下步驟順序執行：
1） 先解鎖 FLASH 控制寄存器 FLASH_CR（詳見：Flash 控制寄存器解鎖）；
2） 向 FLASH_PDKEY 寄存器寫入密鑰 1：0x57D9 3AB6；
3） 向 FLASH_PDKEY 寄存器寫入密鑰 2：0x9A2D 827C；
4） 檢查 FLASH_CR 寄存器中的 PDLOCK 位，當該位清 0 時，表明 PDEN 位已解鎖。解鎖完成后，可對 PDEN 位進行配置。密鑰必須嚴格按照順序寫入，如果出現以下情況，將產生總線錯誤同時觸發 HardFault 中斷，直到再次復位后，才能重新對 PDEN 位進行解鎖操作：
l 向 FLASH_PDKEY 寄存器寫入錯誤的密鑰值；
l 解鎖順序錯誤，先向 FLASH_PDKEY 寄存器寫入密鑰 2：0x9A2D 827C；
l 解鎖后繼續向 FLASH_PDKEY 寄存器寫入任意值（包括密鑰）；
l 在對 FLASH_CR 寄存器解鎖前，向 FLASH_PDKEY 寄存器寫入任意值（包括密鑰）。 將 FLASH_CR 寄存器中的 PDLOCK 位重新置 1，能恢復 PDEN 位的寫保護鎖定狀態。另外通過復位，也能使 PDEN 位恢復成寫保護鎖定狀態。當 FLASH_CR 寄存器恢復成寫保護鎖定狀態時(LOCK 位置 1)，PDEN 位也會被恢復成寫保護鎖定狀態，PDLOCK 位將自動置 1。
5.3.4 Flash 功耗管理
為進一步降低系統功耗，當程序僅在 SRAM 中運行時，通過將 Flash 訪問控制 寄存器（FLASH_ACR）中的 PDEN 位置 1，能使 Flash 進入 Power Down 狀態。在配置 PDEN 位前，要*行解鎖操作，解鎖步驟詳見：Flash 掉電控制位解鎖。Flash處于Power Down狀態時，可通過配置PDEN位清0，使Flash從Power Down 狀態恢復成上電狀態。
注意： Flash 恢復成上電狀態后，需等待 10μs 才允許對 Flash 進行操作。
當進入 Stop 或 Standby 模式時，Flash 將自動進入 Power Down 狀態。如果在進入低功耗模式前，Flash 處于上電狀態，則在喚醒后 Flash 將自動上電。
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