特性一覽表 MCD 50-B、MCD 125-B/NPE | 使用優點 | 低保護水平（Up1.3≤kv） | 在B級和C 級浪涌保護器之間，無需設計退耦
裝置或在兩極之間保持一定的安裝空間。 | 緊密的EMC結構 | 節省45%以上的安裝空間 | 在TT和TN-S系統中，和C級浪涌保護器一同安裝時，MCD 125B/NPE可以為B和C級浪涌保護器共用。 | 節省費用及安裝空間 | |
功能和應用領域
浪涌保護器MCD 50-B和MCD 125-B/NPE滿足標準DIN、VDE 6F5 Part6（Draft 11.89）A1,A2對B類器件的需求條件，以及標準IEC61643-1（02，89）對第Ι級浪涌保護器的要求，他們與后級限壓型電涌保護器配合使用時，無需設計退耦裝置，可以將兩極保護器安裝在一起。該產品是OBO在間隙型浪涌保護器的多電極石磨堆疊技術新發展。
MCD 50-B以其低保護電壓水平（Up≤1.31KV）的特性，確保了與C級浪涌保護器配合使用時，不需要設計退耦裝置或者在B級和 C級之間留一定的安裝距離。這樣它可以節省超過45%的安裝空間，MCD 50-B這個特性特別是對緊湊型Z-MC概念有著特殊的貢獻。另外，NPE放電間隙MCD125-B/NPE雷擊電涌保護器其大通流量的特性在TT、TN-S系統中使用，可以同時作為B和C級浪涌保護器的NPE保護模塊，節省費用及安裝空間。
新的MCD50-B和MCD125-B/NPE浪涌保護器周的應用環境是，需要有緊湊的防雷保護概念或者需要在一個獨立的小型機房內安裝B和C兩級浪涌保護器的環境。例如：移動、微波通信基站。 |  |
安裝
MCD50-B和MCD125-B/NPE的外殼尺寸滿足節省空間的17.5mm寬度模數的要求，所以該裝置容易安裝。通過浪涌保護器本身卡接在35mm導軌上的方式實現了該SPD的簡便安裝。MC 125-B/NPE為N線和PE線分別提供了兩個端子。方便了SPD與線路之間的凱文連接。 |
技術參數 | 雷電保護控制器 型號 | MCD 50-B | MCD 125-B/NPE | 標稱電壓 UN | 230 V/50-60 HZ | 持續工作電壓 UC | 255 V | 需求等級
－按照DIN VDE 0675 Part 6（Draft 11.89）A1,A2
－按照IEC 61643-1 |
B
Ⅰ級
|
NPE放電間隙
| 雷電保護區 | 0→1 | 絕緣電阻 Rins | >100 MΩ | 電壓保護水平 Up | ≤1.3 kV | 響應時間 TA | <100 ns | 電涌電流測試（10/350）－根據IEC 61312-1(02.95)規定的雷電流參數
峰值電流 Iimp
電量 Q
單位能量 W/R |
50 kA
25As
0.63 MJ/Ω
|
125 kA
62.5 As
3.9 MJ/Ω
| Uc下的后續電流遮斷能力 Ip
的非對稱短路電流 | 12.5KArm
25KArm | 100 Arms | 串聯保險絲（僅在電網中無此保險絲時需要） | 50 0A gL/gG | 后續電流遮斷能力（串聯500A gL保險絲）
的非對稱短路電流 | 17.6KArm
25KArm | 溫度范圍 | -40℃到+85℃ | 連接體橫截面積 單股/多股/多股軟線
緊固扭矩（MA）至少4Nm | 10-50/ 10-25/ 10-35mm2
AWG 8-2 | 保留技術更改權 | |
