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206晶振 無(wú)源晶振

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詳細(xì)介紹

　　晶體老化是因?yàn)樵谏a(chǎn)晶體的時(shí)候存在應(yīng)力、污染物、殘留氣體、結(jié)構(gòu)工藝缺陷等問(wèn)題。應(yīng)力要經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的變化才能穩(wěn)定，一種叫“應(yīng)力補(bǔ)償"的晶體切割方法（SC 切割法）使晶體有較好的特性。

　　短穩(wěn)：短期穩(wěn)定度，觀察的時(shí)間為1 毫秒、10 毫秒、100 毫秒、1 秒、10 秒。晶振的輸出頻率受到內(nèi)部電路的影響(晶體的Q 值、元器件的噪音、電路的穩(wěn)定性、工作狀態(tài)等)而產(chǎn)生頻譜很寬的不穩(wěn)定。測(cè)量一連串的頻率值后，用阿倫方程計(jì)算。相位噪音也同樣可以反映短穩(wěn)的情況(要有儀器測(cè)量)。

　　重現(xiàn)性：定義：晶振經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間工作穩(wěn)定后關(guān)機(jī)，停機(jī)一段時(shí)間t1(如24 小時(shí))，開(kāi)機(jī)一段時(shí)間t2(如4 小時(shí))，測(cè)得頻率f1，再停機(jī)同一段時(shí)間t1，再開(kāi)機(jī)同一段時(shí)間t2，測(cè)得頻率f2。重現(xiàn)性=(f2-f1)/f2。

　　頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，石英晶體振蕩器頻率的小峰值改變量。

　　頻率壓控線性：和理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分?jǐn)?shù)表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線性度。

　　晶振有幾個(gè)重要參數(shù)：

　　1.晶體元件規(guī)格書(shū)中所的頻率，也是工程師在電路設(shè)計(jì)和元件選購(gòu)時(shí)首要關(guān)注的參數(shù)。晶振常用標(biāo)稱(chēng)頻率在1～200MHz之間，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的輸出頻率也常用PLL(鎖相環(huán))將低頻進(jìn)行倍頻至1GHz以上。我們稱(chēng)之為標(biāo)稱(chēng)頻率。

　　2.輸出信號(hào)的頻率不可避免會(huì)有一定的偏差，我們用頻率誤差(Frequency Tolerance)或頻率穩(wěn)定度(Frequency Stability)，用單位ppm來(lái)表示，即百萬(wàn)分之一(parts per million)(1/106)，是相對(duì)標(biāo)稱(chēng)頻率的變化量，此值越小表示精度越高。比如，12MHz晶振偏差為±20ppm，表示它的頻率偏差為12×20Hz=±240Hz，即頻率范圍是(～Hz)

　　3.還有一個(gè)溫度頻差(Frequency Stability vs Temp)表示在特定溫度范圍內(nèi)，工作頻率相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離，它的單位也是ppm。

　　4.另外，負(fù)載電容CL(Load capacitance)，它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容(不是晶振外接的匹配電容)，主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率，通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標(biāo)稱(chēng)值。更準(zhǔn)確而言，無(wú)源晶體的負(fù)載電容是一項(xiàng)非常重要的參數(shù)，因?yàn)闊o(wú)源晶體屬于被動(dòng)元器件，所謂的被動(dòng)元器件即是自身不能工作，需要外部元器件協(xié)助工作。

　　晶振基本分類(lèi)

　　石英晶體振蕩器分非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)、電壓控制晶體振蕩器(VCXO)、恒溫控制式晶體振蕩器(OCXO)和數(shù)字化/μp補(bǔ)償式晶體振蕩器(DCXO/MCXO)等幾種類(lèi)型。其中，無(wú)溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器是簡(jiǎn)單的一種，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)中 ，稱(chēng)其為標(biāo)準(zhǔn)封裝晶體振蕩器(SPXO)。

　　貼片晶振也叫做SMD晶振也分為無(wú)源晶振和有源晶振兩種類(lèi)型。無(wú)源晶振和有源晶振（諧振）的英文名稱(chēng)不同，無(wú)源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器）。

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