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更新時(shí)間：2024-05-11 14:07:27瀏覽次數(shù)：158次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 智慧城市網(wǎng)Innovate T5型全譜直讀光譜儀采用標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)，應(yīng)用了日本濱松公司*的CMOS信號(hào)采集元件，每塊CMOS都可以單獨(dú)設(shè)值火花個(gè)數(shù)，與光譜儀技術(shù)同步，采用真空光室設(shè)計(jì)及全數(shù)字激發(fā)光源。
Innovate T5型全譜直讀光譜儀
CCD+CMOS全譜分析技術(shù)
豐富的譜線信息，分析靈敏線更多，保證分析的準(zhǔn)確度；
基于全譜測量的數(shù)據(jù)，能夠正確區(qū)分背景和譜線，有效提高測量精度；
智能選擇合適的靈敏線，通過多譜線結(jié)合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低中高含量段的檢測需求；
基于全譜測量數(shù)據(jù)的多峰擬合技術(shù)，有效消除譜線干擾，實(shí)現(xiàn)精確測量。
CMOS產(chǎn)品PCB板光學(xué)
CMOS線陣傳感器
1*的實(shí)時(shí)智能漂移校正技術(shù)
在分析過程中實(shí)時(shí)進(jìn)行光譜漂移校正，增強(qiáng)儀器穩(wěn)定性；
減少標(biāo)準(zhǔn)化校正次數(shù)，延長校正周期；
自動(dòng)完成儀器校正，操作更加簡便。
漂移校正
譜線漂移校正
1*的CMOS檢測技術(shù)優(yōu)于CCD
CMOS相比CCD具有更高的靈敏度和響應(yīng)速度；
CMOS相比CCD具有更好的線性度；
CMOS相比CCD具有*的紫外光敏感度，在深紫外區(qū)如碳、磷、硫、硼、砷、氮等短波元素的檢測更準(zhǔn)確。
紫外元素強(qiáng)度對(duì)比
產(chǎn)品特點(diǎn)
5 國內(nèi)CMOS全譜接收技術(shù)；
5 人性化一鍵激發(fā)，一鍵緊急停止；
5 一體化光室光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)；
5 可編程脈沖全數(shù)字光源技術(shù)；
5 可分析Fe、Al、Cu、Zn、Ni、Ti、Mg、Co等多種基體；
5 波長范圍140-680nm，可滿足更多元素的分析要求。
技術(shù)參數(shù)
光學(xué)系統(tǒng)
帕型-龍格結(jié)構(gòu)
激發(fā)光源
可編程脈沖全數(shù)字光源
電源及環(huán)境要求
工作電源：（220±20）V AC,
(50±1)Hz,保護(hù)性接地的單項(xiàng)電源
多片高分辨率CMOS/CCD檢測器
高能預(yù)燃技術(shù)
光柵焦距：401mm
大放電電流：400A
火花激發(fā)時(shí)大功率：400VA
波長范圍：140-680nm
放電頻率：100-1000Hz
待機(jī)平均功率：50VA
一體化光室設(shè)計(jì)
引燃點(diǎn)火脈沖：1-14KV
工作溫度：10-30℃
光室抽真空設(shè)計(jì)
火花激發(fā)脈沖：20-230V
存儲(chǔ)溫度：0-45℃
樣品激發(fā)臺(tái)
開放式樣品激發(fā)臺(tái)
電弧激發(fā)脈沖：20-60V
工作濕度：20-80%RH
滿足特殊應(yīng)用的各類樣品夾具
尺寸重量
尺寸：780*565*360mm
重量：78Kg
氬氣要求
純度要求：99.999%
優(yōu)化的氬氣氣路設(shè)計(jì)
進(jìn)口壓力：0.5MPa
易于清理與維護(hù)
流量：激發(fā)流量約3.5L/min
應(yīng)用方案
1鑄造、冶金行業(yè)來料檢驗(yàn)，爐前快速化驗(yàn)
InnovateT5型全譜直讀光譜儀是分析黑色金屬及有色金屬成份的快速定量分析儀器。本儀器廣泛應(yīng)用于冶金、機(jī)械及其他工業(yè)部門，進(jìn)行冶煉爐前的在線分析以及中心實(shí)驗(yàn)室的產(chǎn)品檢驗(yàn)，是控制產(chǎn)品質(zhì)量的有效手段之一。
QQ截圖20161029151541
1金屬加工、機(jī)械制造
近年來，隨著具有特殊機(jī)械性能和應(yīng)用的新型合金材料層出不窮的問世，金屬加工和機(jī)械制造相關(guān)行業(yè)對(duì)于合金元素的含量配置要求越來越高，涉及黑色金屬合金及有色金屬合金，這就給過程加工控制提出了更高的要求，Innovate T5型全譜直讀光譜儀能對(duì)金屬材料中化學(xué)元素成份作精確檢測；可對(duì)鐵基、鋁基、銅基、鎳基等廣泛元素作精確定量!
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