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更新時(shí)間：2024-01-16 08:57:49瀏覽次數(shù)：119次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 智慧城市網(wǎng)多功能絕緣紙常數(shù)測(cè)試儀是表征絕緣材料在交流電場(chǎng)下，介質(zhì)極化程度的一個(gè)參數(shù)，它是充滿(mǎn)此絕緣材料的電容器的電容量與以真空為電介質(zhì)時(shí)同樣電極尺寸的電容器的電容量的比值。介質(zhì)損耗角正切是表征該絕緣材料在交流電場(chǎng)下能量損耗的一個(gè)參數(shù)，是外施正弦電壓與通過(guò)試樣的電流之間的相對(duì)的余角正切。測(cè)定高分子材料介電常數(shù)和介電損耗角正切實(shí)驗(yàn)方法有：工頻高壓電橋法和變電納法。
1.實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/strong>
①了解測(cè)定高分子材料介電常數(shù)和介電損耗角正切測(cè)定的基本原理
②掌握高分子材料材料介電常數(shù)和介電損耗角正切測(cè)定的測(cè)定方法
多功能絕緣紙常數(shù)測(cè)試儀原理
介電常數(shù)是表征絕緣材料在交流電場(chǎng)下，介質(zhì)極化程度的一個(gè)參數(shù)，它是充滿(mǎn)此絕緣材料的電容器的電容量與以真空為電介質(zhì)時(shí)同樣電極尺寸的電容器的電容量的比值。介質(zhì)損耗角正切是表征該絕緣材料在交流電場(chǎng)下能量損耗的一個(gè)參數(shù)，是外施正弦電壓與通過(guò)試樣的電流之間的相對(duì)的余角正切。測(cè)定高分子材料介電常數(shù)和介電損耗角正切實(shí)驗(yàn)方法有：工頻高壓電橋法和變電納法。
本實(shí)驗(yàn)采用工頻高壓電橋法。其工作原理為：被測(cè)試樣與無(wú)損耗標(biāo)準(zhǔn)電容Co是電橋的兩相鄰橋臂，橋臂R3是無(wú)感電阻，與它相鄰的臂由電容C4和恒定電阻R4并聯(lián)構(gòu)成。在電阻R4的中點(diǎn)和屏蔽間接有一可調(diào)電容Ca來(lái)完成線(xiàn)路的對(duì)稱(chēng)操作。線(xiàn)路的對(duì)稱(chēng)在這里理解為使“臂R3對(duì)屏蔽"及“臂R4對(duì)屏蔽"的寄生電容固定且相等。由于電阻線(xiàn)圈R3中的金屬線(xiàn)比電阻R4長(zhǎng)得多，臂R3的寄生電容也將大于臂R4的寄生電容。附加電容Ca可以增大臂R4的電容泄漏，使其數(shù)值與臂R3的泄漏相等。臂Ca和Co的寄生電容不大，因此不用對(duì)他們加以平衡。
保護(hù)電壓e的作用是消除放大器P處頂點(diǎn)可能存在的泄漏電流，為此e是一個(gè)將橋P處頂點(diǎn)的電位引向地電位的裝置。
這主類(lèi)電橋平衡后必然有：Zx·Z4＝Zs·Z3 ……（3-45）
其中 Zx＝j(luò) / (ωCx)
Zs＝j(luò) / (ωCs)
Z3=R3
Z4=[（1 / R4）+ jωC4]-1
由平衡條件及tgδ定義可計(jì)算出：tgδ=2πf C4·R4·10-12
當(dāng)f＝50Hz，R4＝10000/πΩ時(shí)，有tgδ= C4·10-6，即可用C4直接表示tgδ值。根據(jù)式（3-45）計(jì)算可得到：
C4=C3·(R4 / R3)·[1+(1/ tg2δ)]
ε＝Cs / Co
本方法適用于測(cè)試固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹(shù)脂和膠、浸漬纖維制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和玻璃等的相對(duì)介電常數(shù)與介質(zhì)損耗角正切以及由它們計(jì)算出來(lái)的相關(guān)參數(shù)，例如損耗因素。
對(duì)有些絕緣材料如橡膠以及橡膠制品，薄膜等的上述性能實(shí)驗(yàn)，可按照有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或者參考本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。
3.實(shí)驗(yàn)試樣
本次實(shí)驗(yàn)采用多型腔圓片模具注塑成型的高密度聚乙烯圓片試樣.直徑120mm厚度3mm(由材料形狀,電極選二電極,板狀電極)
4.實(shí)驗(yàn)設(shè)備
ZJD-C高低頻介電常數(shù)測(cè)試儀 北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司生產(chǎn)
電極 采用板狀圓形電極
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