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飛行時間二次離子質譜

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更新時間:2023-06-12 10:06:57瀏覽次數:328次

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詳細介紹飛行時間二次離子質譜飛行時間二次離子質譜(TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術

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飛行時間二次離子質譜





飛行時間二次離子質譜(TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術。可以廣泛應用于物理,化學,微電子,生物,制藥,空間分析等工業和研究方面。TOF-SIMS可以提供表面,薄膜,界面以至于三維樣品的元素,分子等結構信息。



技術參數:
. 并行探測所有離子,包括有機和無機分子碎片。
. 無限的質量探測范圍(實際測量中大于1000m/z 原子量單位)。
. 透過率下實現高的質量分辨率。
. 的橫向和縱向空間分辨率(橫向小于100納米,縱向小于1納米)。
. 探測靈敏度可達ppm或ppb量級。
. 質量探測分辨率(M/ΔM) >1000
. 質量探測準確度 ≥20 milli 質量單位
. 反射性分析器
. 5 分鐘樣品腔真空度可從大氣環境達到真空工作環境

主要特點:
.  超高的表面靈敏度(1x109 atoms/cm2)
·  操作簡單(? day training)
· 1 分鐘分析,樣品處理流程 <7分鐘
· 導體和絕緣體表面均可測試
· 可得到元素和分子信息
· 從元素中分離出普通有機物
· 正電和負電的 二次離子質譜
· 同位素分析
· 分析面積 ~0.5 mm
·  濺射預清洗表面
· 提供材料數據庫
 


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