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產(chǎn)品型號(hào)Stress Mapper
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
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更新時(shí)間:2023-09-13 09:23:16瀏覽次數(shù):302次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 智慧城市網(wǎng)Stress Mapper 晶圓翹曲應(yīng)力測(cè)量?jī)x具備三維翹曲(平整度)、薄膜應(yīng)力、納米輪廓、宏觀缺陷成像等檢測(cè)功能,適用于半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)、半導(dǎo)體制程工藝開發(fā)、玻璃及陶瓷晶圓生產(chǎn)。
優(yōu)勢(shì)
● 對(duì)各種晶圓的表面進(jìn)行一次性非接觸全口徑均勻采樣測(cè)量
● 簡(jiǎn)單、精確、快速、可重復(fù)的測(cè)量方式,多功能
● 強(qiáng)大的附加模塊:晶圓加熱循環(huán)模塊( 500 度);表面粗糙度測(cè)量模塊;粗糙表面晶圓平整度測(cè)量模塊
適用對(duì)象
2寸 - 8寸 / 12寸拋光晶圓(硅、砷化鎵、碳化硅等)、圖形化晶圓、鍵合晶圓、封裝晶圓等;液晶基板玻璃;各類薄膜工藝處理的表面。
適用領(lǐng)域
● 半導(dǎo)體及玻璃晶圓的生產(chǎn)和質(zhì)量檢查
● 半導(dǎo)體薄膜工藝的研究與開發(fā)
● 半導(dǎo)體制程和封裝減薄工藝的過程控制和故障分析
檢測(cè)原理
● 晶圓制程中會(huì)在晶圓表面反復(fù)沉積薄膜,基板與薄膜材料特性的差異導(dǎo)致晶圓翹曲,翹曲和薄膜應(yīng)力會(huì)對(duì)工藝良率產(chǎn)生重要影響
● 采用結(jié)構(gòu)光反射成像方法測(cè)量晶圓的三維翹曲分布,通過翹曲曲率半徑測(cè)量來(lái)推算薄膜應(yīng)力分布,具有非接觸、免機(jī)械掃描和高采樣率特點(diǎn),12 英寸晶圓全口徑測(cè)量時(shí)間低于 30s
● 通過 Stoney 公式及相關(guān)模型計(jì)算晶圓應(yīng)力分布
實(shí)測(cè)案例
測(cè)量分析軟件
三維測(cè)量分析軟件易用性強(qiáng),具有豐富分析功能,包括:三維翹曲圖、晶圓翹曲參數(shù)統(tǒng)計(jì)(BOW,WARP,GFIR,SFLR等)、薄膜應(yīng)力及分布、模擬加熱循環(huán)、曲率、多項(xiàng)式擬合、空間濾波和數(shù)據(jù)導(dǎo)出等。
Stress Mapper技術(shù)規(guī)格
瑞霏光電晶圓翹曲應(yīng)力測(cè)量?jī)x將全口徑翹曲、應(yīng)力、表面瑕疵等分析整合進(jìn)入每一次測(cè)量,確保客戶能快速確認(rèn)工藝。
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