● 應用領域：高劑量離子注入光刻膠的去除，濕法或干法刻蝕前后殘膠去除，MEMS 中犧牲層的去除，去除化學殘余物，去浮渣工藝，SU-8 光刻膠去除等
● 設備優勢：去膠速度快，對產品損傷小，設計緊湊，操作簡單
● 工藝腔室：石英材質，11 升
● 樣品尺寸：6 寸，向下兼容（可支持 8 寸）
● 腔門：抽屜式，帶觀察窗
● 微波源：2.45GHz，50 - 600W 可調
● 氣路：標配兩路工藝氣體，帶質量流量計(可升級至 4 路）
● 真空規：pirani，1-1×105Pa
● 真空泵：干泵或油泵可選
● 控制系統：10.4 寸觸摸屏，Windows系統，圖形化操作界面
● 電力需求：3 / N / PE AC 50Hz 400 / 240V 16A
● 整機尺寸：620(W) × 550(D) × 500(H) mm
典型應用
● 等離子去膠，適合小批量生產，也適合于研發、實驗室
● 去除光刻膠
● 干刻或濕刻處理前或后
● SU-8 或其他環氧基樹脂
● MEMS 制造中去除犧牲層
技術規格
● 等離子源：2.45Ghz 微波等離子源，600W
● 腔體 ：石英 .φ235mm，長 260mm
適用于 Wafer 200mm（8英寸）小批生產及實驗
● 外觀尺寸：長 460mm，寬 590mm，高 550mm
● 處理氣體：2 路氣體+數字 MKS 流量控制器
● 真空腔門：抽屜式門+觀察窗
● 溫控 Wafer Chuck
● 觀察窗 ：UV 與微波屏蔽保護
● GUI 7" 觸摸屏，Window CE 操作系統
選項
● 進口干泵系統（含相關附件）
● 法拉第籠
● 石英舟
● 信號燈塔-紅黃綠三色
● 額外的處理氣體線路-最多至 4 路氣體
● 包裝，運輸
