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上海德竹芯源科技有限公司
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號SI 500
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
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更新時間:2024-04-07 09:44:46瀏覽次數(shù):165次
聯(lián)系我時,請告知來自 智慧城市網(wǎng)SI 500 基于 ICP 等離子體源 PTSA,動態(tài)溫度控制的襯底電極,全自動控制的真空系統(tǒng),使用遠程現(xiàn)場總線技術的的 SENTECH 控制軟件和用于操作 SI 500 的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是 SI 500 主要的設計特點。
電感耦合等離子體刻蝕設備
Inductively Coupuled Plasma Reactive Ion Etching - ICPRIE
SI 500 基于 ICP 等離子體源 PTSA,動態(tài)溫度控制的襯底電極,全自動控制的真空系統(tǒng),使用遠程現(xiàn)場總線技術的的 SETECH 控制軟件和用于操作 SI 500 的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是 SI 500 主要的設計特點。可用于加工各種各樣的襯底,從直徑高達 200 mm 的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預真空室保證穩(wěn)定的工藝條件,且切換工藝非常容易。通過配置可用于刻蝕不同材料,包括但不于例如三五族化合物半導體 (GaAs, InP, GaN, InSb),介質(zhì),石英,玻璃,硅和硅化合物 (SiC, SiGe),還有金屬等。 SENTECH 提供用戶不同級別的自動化程度,從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),目標是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 ICP 等離子刻蝕機也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊。
設備主要特點:
● 自主研發(fā)的ICP等離子源:三螺旋平行板天線 (PTSA) 等離子源是 SENTECH 等離子體工藝設備的屬性。PTSA 源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能,非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。
● 高速刻蝕:對于具有高深寬比的高速硅基 MEMS 刻蝕,光滑的側(cè)壁可通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實現(xiàn)。
● 低損傷刻蝕:由于離子能量低,離子能量分布帶寬窄,因此可以用等離子體刻蝕機 SI 500 進行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。
● 動態(tài)溫度控制:在等離子體刻蝕過程中,襯底溫度的設定和穩(wěn)定性對于實現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關重要的作用。動態(tài)溫度控制的 ICP 襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感,可在 -150°C 至 +400°C 的廣泛溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)良的工藝條件。
應用展示:
SI 500
● ICP 等離子刻蝕機
● 帶預真空室
● 適用于 200 mm 的晶片
● 襯底溫度從 -20?°C 到 300?°C
SI 500 C
● 等溫 ICP 等離子刻蝕機
● 帶傳送腔和預真空室
● 襯底溫度從 -150?°C 到 400?°C
SI 500 RIE
● RIE 等離子刻蝕機
● 背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案
● 電容耦合等離子體源,可升級成 ICP 等離子體源 PTSA
SI 500-300
● ICP 等離子刻蝕機
● 帶預真空室
● 適用于 300 mm 晶片
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