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深圳市華科智源科技有限公司
雪崩能量測試儀系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A,電壓 4500V,雪崩能量可達2000J。
半導體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應用為廣泛的基礎元件,其性能表現對整個電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流,滿足一定的雪崩耐量。
雪崩能量測試儀測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數據傳輸給計算機,計算機將測試數據以EXCEL表格形式顯示并進行終的編輯和打印。
HUSTEC2020 雪崩能量測試儀
功能指標:
配置 | 測試范圍 | 測試參數 | 條件 | 范圍 | |
電壓 | IGBTs | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V~4500V | 20~100V±3%±1V |
電流 | MOSFETs | EAR/重復脈沖雪崩能量 | Ic | 1mA~200A | 1mA~100mA±3%±0.1mA |
DIODEs | IAS/單脈沖雪崩電流 | Ea | 1J~2000J | 1J~100J±3%±1J | |
PAS/單脈沖雪崩功率 | IC檢測 | 50mV/A(取決于傳感器) | |||
感性負載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 | ||||
重復間隙時間 | 1~60s可調(步進1s) 重復次數:1~50次 |
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