西安廠商直供雪崩耐量測試儀
ENX2020 雪崩耐量測試系統
概述
向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產生較大尖峰電壓的應用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用場合，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時，初級會產生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生*的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。
ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發設計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業測試設備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測試系統，該設備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護電路、計算機控制系統、雪崩電壓采集系統、雪崩電流采集系統、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口（根據客戶需求）等多個部分。
規格/環境要求
- 電壓頻率：50Hz±1Hz
- 環境溫度：15～40℃
- 工作濕度：溫度不高于+30℃時，相對濕度5%-80%。
溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。
- 大氣壓力： 86Kpa～106Kpa
- 海拔高度：不超過3000米。
- 尺 寸：800x800x1800mm
- 質 量：210KG
- 工作電壓：AC220V±10%無嚴重諧波
- 系統功耗：320W
- 通信接口：USB RS232
技術指標
配置 | 測試范圍 | 測試參數 | 條件 | 范圍 |
電壓 1000V | IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管 | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V-4500V | 20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V |
電流 200A | MOSFETs MOS場效應管 | EAR/重復脈沖雪崩能量 | Ic | 1mA-200A | 1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA |
| DIODEs 二極管 | IAS/單脈沖雪崩電流 | Ea | 1J-2000J | 1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J |
| | PAS/單脈沖雪崩功率 | IC檢測 | 50mV/A（取決于傳感器） |
| | | 感性負載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH |
| | | 重復間隙時間 | 1-60s可調（步進1s）重復次數：1-50次 |
