IPM，即智能功率模塊，是*的混合集成功率器件。一般使用IGBT作為功率開關(guān)元件，內(nèi)部集成電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路的集成結(jié)構(gòu)。
IPM模塊需要測(cè)試的特性參數(shù)很多，其中關(guān)鍵的測(cè)試參數(shù)為開關(guān)特性（時(shí)間特性）的測(cè)量。該系統(tǒng)在解決IPM的控制信號(hào)以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個(gè)關(guān)鍵技術(shù)的條件下，是一套基于DSP及FPGA的高速實(shí)時(shí)測(cè)試系統(tǒng)。

詳細(xì)介紹

ENI1220 IPM 測(cè)試系統(tǒng)

科佩爾CATE IPM測(cè)試儀替代品

系統(tǒng)概述

基礎(chǔ)配置

IPM，即智能功率模塊，是*的混合集成功率器件。一般使用IGBT作為功率開關(guān)元件，內(nèi)部集成電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路的集成結(jié)構(gòu)。

IPM模塊需要測(cè)試的特性參數(shù)很多，其中關(guān)鍵的測(cè)試參數(shù)為開關(guān)特性（時(shí)間特性）的測(cè)量。該系統(tǒng)在解決IPM的控制信號(hào)以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個(gè)關(guān)鍵技術(shù)的條件下，是一套基于DSP及FPGA的高速實(shí)時(shí)測(cè)試系統(tǒng)。

電壓

電流

標(biāo)配

選配

標(biāo)配

選配

1200V

1000V

200A

2200V

400A

3300V

600A

4500V

1000A

6000V

2000A

配置/短路測(cè)試

電壓

電流

短路測(cè)試

標(biāo)配

選配

標(biāo)配

選配

項(xiàng)目

范圍

誤差

分辨率

1200V

2200V

200A

400A

VPN

100V～1200V

±3%

10V

3300V

600A

測(cè)試電流

10A～75A

±3%

4500V

1000A

短路電流

100A～500A

±3%

6000V

2000A

短路時(shí)間

1 uS～10uS

可調(diào)

測(cè)試功能

測(cè)試范圍

測(cè)試參數(shù)

IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS

IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision

參數(shù) / 精度

靜態(tài)參數(shù)

動(dòng)態(tài)參數(shù)

上橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試(I_ces-H)

上

橋

開

關(guān)

參

數(shù)

集電極電壓Vce：

100～1200V，

誤差±3%,分辨率10V

上橋IGBT/FRD耐壓測(cè)試(Bvce-H)

上橋驅(qū)動(dòng)IC低端靜態(tài)電流測(cè)試(IDH)

集電極電流Ice：

10～75A，

誤差±3%,分辨率1A

上橋驅(qū)動(dòng)IC靜態(tài)工作電流測(cè)試

（Iqbs-U,V,W）

VD=VBS=15V,

誤差±3%,分辨率0.1V

上橋欠壓保護(hù)監(jiān)測(cè)電平（UVbsd-U V W）

VIN=0～5V

誤差±3%,分辨率0.1V

上橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVbsr-U V W）

ton-L : 10～500nS,

誤差±3%,分辨率1nS

上橋驅(qū)動(dòng)IC導(dǎo)通閾值電壓測(cè)試

（Vth（on）-UH VH WH）

tc（on）-L :5～200ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS

toff-L: 50～500ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS

上橋驅(qū)動(dòng)IC關(guān)斷閾值電壓測(cè)試

（Vth（off）-UH VH WH）

tc(off)-L: 5～200ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS

Trr-L :10～500ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS

上橋IGBT飽和電壓測(cè)試（Vce(sat)-UH VH WH）

Eon-L :0.1～10ｍＪ,

誤差±3%,分辨率0.1mJ

上橋FRD正向壓降測(cè)試（VF-(UH VH WH)

Eoff-L： 0.1～10ｍＪ

誤差±3%,分辨率0.1mJ

下橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試(Ices-L)

下

橋

開

關(guān)

參

數(shù)

集電極電壓Vce：

100～1200V，

誤差±3%,分辨率10V

下橋驅(qū)動(dòng)IC靜態(tài)工作電流測(cè)試（IDL）

故障輸出電壓測(cè)試（Vfoh Vfol）

集電極電流Ice：

10～75A，

誤差±3%,分辨率1A

過流保護(hù)閾值電壓測(cè)試（Vcin（ref））

下橋欠壓保護(hù)監(jiān)測(cè)電平（UVdd）

VD=VBS=15V,

誤差±3%,分辨率0.1V

下橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVdr）

VIN=0～5V

誤差±3%,分辨率0.1V

下橋驅(qū)動(dòng)IC導(dǎo)通閾值電壓

（Vth（on）-UL VL WL）

ton-L : 10～500nS,

誤差±3%,分辨率1nS

tc（on）-L :5～200ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS

下橋驅(qū)動(dòng)IC關(guān)斷閾值電壓

（Vth（off）-UL VL WL）

toff-L: 50～500ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS

tc(off)-L: 5～200ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS

下橋IGBT飽和電壓測(cè)試（Vce(sat)-UL VL WL）

Trr-L :10～500ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS

下橋FRD正向壓降測(cè)試（VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1～10ｍＪ,

誤差±3%,分辨率0.1mJ

Eoff-L： 0.1～10ｍＪ

誤差±3%,分辨率0.1mJ

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