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行業(yè)產(chǎn)品

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北京百川宏宇交通設(shè)施有限公司


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塑料電壓擊穿試驗(yàn)儀

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參   考   價(jià): 38000

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)BC-50KV

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

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更新時(shí)間:2024-08-19 16:46:13瀏覽次數(shù):83次

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經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:200條

所在地區(qū):北京北京市

聯(lián)系人:張 (經(jīng)理)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

塑料電壓擊穿試驗(yàn)儀高壓驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制,通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式,完成對(duì)絕緣介質(zhì)材料的工頻電壓擊穿,工頻耐壓試驗(yàn)。適用于對(duì)固體絕緣材料(如:絕緣漆、樹(shù)脂和膠、浸漬纖維制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和玻璃等)在工頻電壓下?lián)舸╇妷海瑩舸?qiáng)度和耐電壓的測(cè)試。

詳細(xì)介紹

塑料電壓擊穿試驗(yàn)儀塑料電壓擊穿試驗(yàn)儀

6檢驗(yàn)規(guī)則GB/T 13542《電氣絕緣用薄膜)分為以下幾個(gè)部分:

一第1部分:定義和一般要求;

一一第2部分:試驗(yàn)方法;

一第3部分:電容器用雙軸定向聚丙烯薄聵;

一第4部分:聚酯薄膜

.…。

本部分為GB/T13542的第1部分。

本部分修改采用IEC60674-1:1980《電氣用塑料薄膜第1部分:定義和一般要求(英文版)。

本部分與IEC60674-1的主要技術(shù)差異如下:

1)增加了“規(guī)范性引用文件"章;

2)增加了“檢驗(yàn)規(guī)則"章。

本部分代替GB/T 13542-1992《電氣用塑料薄膜一般要求》,

本部分與GB/T 13542-1992相比主要差異如下:

1)將“引用標(biāo)準(zhǔn)"改為“規(guī)范性引用文件"

2)定義3.1.1中“偏斜"改為“偏移/弧形"。


本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

GB/T13542-1992。

6.1薄膜應(yīng)進(jìn)行出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)。

6.2型式檢驗(yàn)項(xiàng)目為產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求規(guī)定的全部項(xiàng)目,每三個(gè)月至少進(jìn)行一次。當(dāng)原材料變更

或工藝條件改變時(shí),也應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)。

6.3產(chǎn)品批量、抽樣方法和出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定,每批薄膜應(yīng)進(jìn)行出廠檢驗(yàn),產(chǎn)品經(jīng)檢驗(yàn)

合格才能出廠。制造廠應(yīng)保證出廠產(chǎn)品符合產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中全部技術(shù)要求。

6.4當(dāng)試驗(yàn)結(jié)果中任何一項(xiàng)不符合技術(shù)要求時(shí),應(yīng)在該批薄膜另外二卷中各取一組試樣重復(fù)該項(xiàng)試

驗(yàn),如仍有一組不符合要求時(shí),該批薄膜為不合格品。

6.5使用單位可按產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的全部或部分項(xiàng)目進(jìn)行驗(yàn)收檢驗(yàn)。預(yù)處理?xiàng)l件按GB/T13542.2-2009

中3.2要求進(jìn)行。

6.6使用單位有要求時(shí),制造廠應(yīng)提供產(chǎn)品檢驗(yàn)報(bào)告。

7標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存

7.1薄膜卷要用防潮紙或塑料薄膜包裹,外層套裝塑料袋,并架空支撐放置于包裝箱中,使薄膜在通常

的貯存和運(yùn)輸條件下得到充分保護(hù)而不受損壞和變質(zhì)。

7.2每箱薄膜應(yīng)有明顯而牢固的標(biāo)志:

TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)

●  多級(jí)循環(huán)電壓采集技術(shù):

材料擊穿后,瞬間放電速度約為光速的1/5~1/3,國(guó)際通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級(jí)電壓瞬間下降一定比率來(lái)判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級(jí)循環(huán)采集技術(shù)對(duì)擊穿后的電壓采集將解決此難題。

●  低通濾波電流監(jiān)測(cè)技術(shù):

高壓壓放電過(guò)程中將產(chǎn)生高頻信號(hào)。而無(wú)論是國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口電流采集傳感器,大都為工頻電流傳感器。而采集過(guò)程中無(wú)法將高頻信號(hào)處理時(shí),從而造成檢測(cè)不準(zhǔn)確。無(wú)論是采用磁通門或霍爾原理所設(shè)計(jì)的傳感器存在擊穿后瞬間輸出電壓或電流信號(hào)過(guò)大,從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分。華測(cè)開(kāi)發(fā)的低濾波電流采集傳感器將高頻雜波信號(hào)進(jìn)行相應(yīng)處理。同流采集華測(cè)自主開(kāi)發(fā)的保護(hù)模塊來(lái)保證采集精度與保護(hù)采集元件。

●  雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù):

采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電擊穿儀器,生產(chǎn)的電壓擊穿儀器不僅具備過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)系統(tǒng),它*的雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制,當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問(wèn)題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí),將瞬間切斷高壓。





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