PV光伏組件紫外試驗箱的使用方法
閱讀：501發布時間：2013-3-12
PV紫外老化試驗箱于太陽能光伏組件的測試，用于評估諸如聚合物和保護層等材料抗紫外輻照能力，能夠快速、真實地再現陽光、雨、露對材料的損害：只需要幾天或幾周時間，可以再現戶外需要數月或數年才能產生的破壞：包括褪色、變色、亮度下降、粉化、龜裂、變模糊、脆化、強度下降及氧化,可靠的老化測試數據可對產品的耐候（抗老化）性做出準確的相關性預測，并有助于材料及配方的篩選、優化。
1、范圍
本標準規定了光伏組件暴露于紫外輻照環境時，考核其抗紫外輻照能力的試驗。本試驗適用于評估諸如聚合物和保護層等材料的抗紫外輻照能力。本試驗的目的是考核暴露于波長介于280nm到400nm的紫外輻照環境中組件的承受能力。在進行本試驗前，光老煉或其他的預處理應按GB/T9535或GB/T18911進行。
2、規范性引用文件
下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件，其版本適用于本標準。
GB/T6495.1-1996光伏器件第1部分:光伏電流一電壓特性測量（idtIEC60904-1:1987）
GB/T6495.3-1996光伏器件第3部分:地面用光伏器件測量原理以及光譜輻照度數據（idtIEC60904-3:1989）
GB/T9535-1998地面用晶體硅光伏組件設計鑒定和定型（idtIEC61215;1993）
GB/T18911-2002地面用薄膜光伏組件設計鑒定和定型（IEC61646:1996,IDT）
3、初始測量
應進行以下的初始測量:
——按GB/T9535-1998或GB/T18911-2002進行外觀檢查;
——按GB/T6495-1-1996在標準測試條件下測量I-V特性;
——按GB/T9535-1998或GB/T18911-2002進行絕緣測試。
4、設備
PV紫外老化試驗箱由以下各項組成:
a）一個帶有窗口或具有可以固定紫外光源和組件裝置的溫度控制試驗箱，試驗箱必須維持組件
溫度在60℃士5℃的干燥環境。
b）能在組件測試面上產生均勻度為士15%的輻照，并能在5c）中規定的不同光譜區提供所需總輻照度的紫外光源。zui終的試驗報告應指明所使用的紫外光源的種類
C）測試和記錄組件溫度的裝置應保證準確度為士20C,溫度傳感器應粘接在靠近組件背面或正面的中部。如果幾個組件同時進行試驗，監測一個有代表性組件的溫度即可。
d）能在組件測試面上測量紫外光源所產生輻照度的經標定的輻射計。
5、步驟
PV紫外老化試驗箱應根據以下的步驟進行試驗
a）用標定過的輻射計測量組件測試平面的輻照度，并保證波長在280nm^400nm之間，試驗光譜輻照度不超過其對應標準光譜輻照度的5倍，標準AMI.5太陽輻照分布由GB/T6495.3表1給出，保證波長低于280nm的光譜輻照是測量不到的，并保證在測試平面輻照的均勻度GB/T19394-2003/IEC61345;1998為士15%.
b）將組件安裝在測試平面上根據a）選擇的區域內，使紫外輻照光線垂直于組件正面。
C）維持組件溫度在規定的范圍內，組件接受的zui小輻照量為:
—波長范圍280nm-320nm,7.5kWh，m-}和—波長范圍320nm-400nm,15kWh·m-1。
d）調整組件使紫外輻照線垂直于組件背面。
e）重復步驟C），輻照量為正面輻照水平的1000,
注:正在修改中的IEC61215，單晶硅組件的紫外輻照試驗不進行步驟d）和e），步驟c）改為:“組件接受的輻照量為：波長范圍280nm-385nm,15kWh·m-.使用本標準時，單晶硅組件可參照此進行。
6、zui終測試
重復以下測量:
——按GB/T9535-1998或GB/T18911進行外觀檢查;
——按GB/T6495.1-1996在標準測試條件下測量IN特性;
——按GB/T9535-1998或GB/T18911進行絕緣測試。
7、要求
試驗的組件應滿足以下要求:
——無GB/T9535-1998或GB/T18911規定的嚴重外觀缺陷。
——在標準測試條件下，zui大輸出功率衰降不大于試驗前測試值的500。對于薄膜組件，在標準測試條件下，zui大輸出功率應大于制造商提供的該組件的標稱功率的zui小值。
——按GB/T9535-1998或GB/T18911中規定，絕緣電阻應滿足初始測量值的要求。
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