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高亮度LED首要分為紅外光的GaAs體系和AlGaAs體系，紅、橙、黃、綠色的AlGaInP體系，綠色和藍色的InGaN體系，以及紫外光的GaN和AlGaN體系。當時InGaN體系的藍光光效現已較高，再四元系的紅黃光，現已開端廣泛地運用于照明、背光、顯現、交通指示燈等范疇。紫外光LED有著寬廣的商場運用遠景，半導體紫外光源在照明、滅菌、醫療、打印、生化檢測、高密度的信息貯存和保密通訊等范疇具有嚴峻運用價值。紅外光LED首要包含峰值波長從 850nm到940nm的紅外LED，廣泛運用于遙控器、驅動器、電腦鼠標、傳感器、安全設備和顯現器背光等范疇，紅外LED需要持續增長的驅動力首要來源于家用電器、安全體系和無線通訊產物等。
白光運用是藍光LED芯片的重要商場，也是zui為重要的開展方向，其選用藍光芯片加YAG黃色熒光粉然后構成白光光源。當時，世界LED大廠在大功率藍光芯片方面有著較為顯著的優勢，而國內LED芯片公司當時首要是在中小功率藍光芯片方面有較大的開展，但因為前幾年的過度出資致使了產能過剩，致使中小功率藍光芯片商場呈現了較為嚴峻的“價格戰”。關于藍光LED芯片而言，首要的開展方向為硅基 LED防爆燈芯片、高壓LED芯片、倒裝LED芯片等。關于中小功率LED芯片商場而言，當時干流商場的趨勢為0.2-0.5W商場，封裝方法包含2835、 5630以及COB封裝等。關于其它細分范疇，如筆直布局的芯片，封裝后能夠運用于指向性照明運用，如手電、礦燈、閃光燈、射燈等燈具產物中。
酒廠50wLED防爆燈#防爆燈深圳廠家硅襯底LED芯片漸受重視
當時商場上干流的藍光芯片通常都是在藍寶石襯底上成長，其間以日本日亞公司為代表；此外還有一種藍光芯片是在碳化硅襯底上成長，以美國科銳公司為代表。
這些年硅襯底上成長LED防爆燈的藍光LED芯片越來越遭到大家的重視。硅襯底因為能夠選用IC廠的自動出產線，比擬簡單選用當時IC工廠的6寸和8寸線的老練技能，再加上大尺度硅襯底本錢相對低價，因此將來硅襯底LED芯片的本錢預期會大幅度下降，也可推進半導體照明的疾速浸透。硅基LED芯片在特性有下列特色：
● 筆直布局，選用銀反射鏡鏡，可使電流散布更均勻，然后完成大電流驅動；
● 硅襯底散熱性好，有利于芯片的散熱；
● 具有朗伯發光描摹，出光均勻LED防爆燈，簡單進行二次光學；
● 適于陶瓷基板封裝；
● 適合于LED閃光燈和方向性較強的照明運用，可運用于室內、室外和便攜式照明商場。
在硅基LED芯片的開發上，LED防爆燈晶能光電在2009年就曾推出小功率硅基LED芯片，被廣泛地運用于數碼顯現范疇。2012年6月晶能光電在廣州發布了新一代大功率硅基LED芯片產物，致使了國內外LED工業界的高度重視，推出了包含28mil、35mil、45mil和55mil在內的四款硅基大功率LED芯片，其間45mil芯片到達了120lm/w的光效，并在年末到達了130 lm/w，且可靠性杰出。硅基LED芯片陶瓷封裝后，與世界聞名的產物比較，具有杰出的性價比，致使了國內外封裝廠和LED燈具廠的*愛好。據報道夏普和普瑞也宣告于2012年末完成了硅襯底白光芯片的量產，推出了兩款白光芯片；別的，包含三星、歐司朗、晶電等大廠也正活躍從事于硅基LED芯片的研討。
LED 商場正處于高速開展的期間，LED芯片本錢的進一步下降將推進半導體照明走入全家萬戶。因為硅襯底具有本錢低、IC廠制作技能老練等特色，跟著6-12寸大尺度硅基LED技能的不斷開展，硅基LED技能將在下降本錢和進步出產功率方面具有宏大的優勢，這關于LED工業會發作嚴峻影響。
高亮度芯片面對的開展瓶頸
當時，半導體照明商場的進一步開展需求藍光LED芯片的光效要不斷晉升，本錢要不斷下降。當時科銳根據碳化硅的LED芯片現已完成了200lm/w光效產物的量產，研制水平光效能夠到達276lm/w。在LED芯片本錢下降和光效晉升的這一比賽中，當時正遇到以下幾個開展瓶頸。
*是藍光芯片存在的Droop效應。在大電流密度條件下，發光二極管的外量子功率會下降，有實驗標明Droop效應是由包含俄歇效應在內的多種緣由致使，這個效應約束了藍光芯片在大電流密度下的運用，LED防爆燈然后阻止了流明本錢的下降。
第二是綠色能隙（Green gap）和赤色能隙（Red gap）。當波長從藍光進入到綠光波段時，LED的量子功率會下降，如530nm的綠光量子功率下降很快；關于紅光而言，在深赤色光譜中內部量子功率能夠到達*，但對抱負白光光源中的橘赤色發光波長（如614nm）而言，其功率敏捷下降。這些效應約束了綠光和紅光芯片的光效晉升，延緩了將來的高質量白光的發作。別的，綠光及黃光LED功率也遭到自身極化場的沖擊， 而這個效應會跟著更高的銦原子濃度而變得更強。
第三是外延的異質成長疑問。因為外延成長時晶體中存在缺點，構成大的位錯密度和缺點，然后致使光效下降和壽數下降。當時藍光芯片無論是碳化硅、藍寶石、硅襯底技能都是異質外延，在襯底和外延晶體之間存在晶格失配致使位錯，一起因為熱膨脹系數的不同在外延成長后的降溫過程中發作熱應力，致使外延層呈現缺點、裂紋、晶片曲折等。襯底的質量直接影響著外延層的晶體質量，然后影響光效和壽數。若是選用GaN同質襯底進行外延成長，使用非極性技能，可zui大極限地削減活性層的缺點，使得LED芯片的電流密度比傳統芯片高5-10倍，大幅進步發光功率。據報道首爾半導體選用同質襯底開發的nPola新產物，與當時的LED比較，在一樣面積上的亮度高出了5倍，但GaN同質襯底關于LED而言仍過于貴重。
整體而言，在藍光LED芯片的將來開展上，倒裝芯片、高壓芯片、硅基芯片等都是將來的首要開展趨勢。倒裝芯片因為散熱好能夠增大寫入電流，不必打線能夠晉升產物在運用過程中的可靠性；高壓LED芯片因為能夠愈加匹配供電電壓能夠進步電源變換功率，再加上定制的IC電源，于LED球泡燈；硅基LED芯片因為能夠在6寸或許8寸的硅襯底上進行外延成長，能夠大幅度下降LED的本錢，然后加快半導體照明運用年代的降臨。LED防爆燈關于其它色彩而言，紅光LED芯片和綠光LED芯片的光效都還有很大的晉升空間，跟著紅光和綠光LED芯片光效進一步的晉升，將來白光不一定就是當時的藍光LED芯片加黃色熒光粉的方法，也可能是RGB或其它的方法，將來白光的封裝方法也可能會發作很大的改變。
