產品介紹：BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統、反應離子刻蝕（RIE）及等離子體增強化學氣相沉積 （PEVCD）系統
用于反應離子刻蝕（RIE）及等離子體增強化學氣相沉積 （PEVCD）的等離子處理系統。
BM8-II是一款定義反應離子刻蝕（RIE）及等離子體增強化學氣相沉積 （PEVCD）等離子處理新概念的等離子處理系統。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統基于模塊化設計制造，采用一款通用的真空處理艙及機柜。等離子處理系統采用平板式電極、反應離子刻蝕（RIE）電極及等離子體增強化學氣相沉積 （PEVCD）電極模塊化設計理念，方便整體系統的組裝及配置。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統帶給用戶方便操作，提供多種等離子處理工藝、方便維護及性價比高的反應離子刻蝕（RIE）/沉積等離子處理系統，比業內其它反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統更具競爭力。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統-主要性能簡介
等離子工藝處理的研發需要多功能且可靠的等離子處理系統。為了滿足等離子研究日新月異的要求，用戶選購的系統設備滿足zui大范圍的等離子工藝參數需要，工藝驗證需要極其高的可重復性，必須方便改造用于新的等離子工藝需要。我們相信BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統系列干法工藝等離子系統滿足這些非常苛刻的要求。. BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統是一款用于研究，工藝開發及其小批量生產的等離子系統工具，用于zui大八英寸基片的精確等離子刻蝕及沉積。BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統可以在多片或單片處理模式下操作。
在設計BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統之初，主導指示就是創造一款融合高質量、可靠、重復性及其用于生產系統的工藝控制能力為一體的等離子系統；同時*的降低主機成本、維護成本及占地面積小等要求。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統具有*的機體結構和電極設計，方便安裝在層流模塊中或是超凈間。BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統的建造采用高質量認可的部件、模塊化裝配、多功能真空艙體及其電極設計、結構緊湊、自動化及業內認可工藝程序使得BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統成為工藝工程師*干法等離子處理設備。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統-主要性能介紹
- 一體式真空艙體構造
- 原位電極間距設計（PEVCD版）
- 可更換工藝氣體噴頭
- 業內認可的工藝程序
- 高質量業內認可的主要部件
- 終點探測監測（Endpoint detection選配）
- 多種電極配置
- 自動射頻（RF）匹配器
- 下游壓力控制（Downstream pressure control選配）
- 電腦控制，基于Windows編程
- 多款真空泵浦選配：機械泵、機械泵/風機，渦輪增壓泵浦
- 單真空艙及雙真空艙結構
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統-應用
基于系統建造的高質量處理模塊，BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統滿足廣泛的等離子處理工藝條件，無論是復雜的亞微米級反應離子刻蝕 （RIE）還是高質等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）薄膜的沉積。以下是我們，BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統的典型工藝處理應用，基與眾多客戶群的緊密協作，我們開發出業內認可的工藝程序，保證系統滿足用戶所需。用于生產制造的系統設備均采用zui高質量的部件，保證，BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統提供zui大可能的正常運行時間、 可靠性、重復性及耐用性。
- 故障分析應用（Failure analysis）
- 材料改性（Material modification）
- 粘合促進等離子descum
- 表面處理（Surface treatment）
- 各向異性各項同性及刻蝕（Anisotropic and isotropic etching）
- 金屬刻蝕（Metal etching）
- Si02（二氧化硅）, Si3N4 （氧化硅）及 SiOxNy（氮氧化矽）薄膜沉積
- II-V 刻蝕應用（III-V etching）
- 溝槽刻蝕（Trench etching）
- 鈍化層刻蝕（Passivation etching）
- 聚酰亞胺刻蝕（Polyimide etching ）
- 亞納米級刻蝕（Submicron etching）
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統規格
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統的廣泛使用得益于其高性價比，多功能設計模塊，提供其他同類反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統沒有的工藝優勢。這些包括層流安裝占地面積小，多款電極配置，及其zui大可滿足直徑8英寸（203毫米）基片處理等。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統基本模塊
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統基本部件包括一款基于Windows的PC控制器及其菜單存儲、質量流量控制的兩路通道控制（zui大可擴展至六通道）、溫度補償式電容壓力計用于測量工藝真空度、100毫米真空通道用于zui大工藝氣體電導、KF或ISO標準管件便于維護；及其它工藝及服務特性。工藝氣體導管未不銹鋼操作，配備VCE連接件。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統-真空處理艙
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統的真空處理艙采用整塊鋁合金建造成一體式設計。反應離子刻蝕（RIE）、等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）及平板電極系統均采用同樣的真空處理艙設計。真空處理艙上部包括一個電極，并且具有原位電極可調間距；真空艙下部包括基片電極，真空泵浦接口及氣體必要的真空閥及其真空監控設備。自動升降臺抬舉真空艙上部便于接近底部電極。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統-電極配置
反應離子刻蝕（RIE）系列電極特別為達到低真空范圍的*等離子性能設計。上部的不銹鋼電極包括噴頭式工藝氣體供應系統。不銹鋼材質底部電極通過可選配冷卻循環槽來控制溫度。反應離子刻蝕（RIE）陽極采用暗區屏障設計，使等離子在兩塊電極之間產生。等離子體增強化學氣相沉積（（PECVD ）電極采用類似的設計，但是鋁制底部基片電極zui大可耐400℃高溫，而上部電極（通電電極）是采用水冷卻。鋁制電有氣體感應端口，便于沉積工藝后的快速冷卻。對于（等離子體增強化學氣相沉積（PECVD ）應用，上部電極的間距可以在25.40至89毫米之間調節。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統-等離子電源
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統的電源可匹配廣泛的功率及其等離子電源頻率。所有的電源采用固態、風冷式。電源功率從300至1250瓦特均有，射頻頻率從40KHz（中頻）至2.45GHz（微波）；系統標配為13.56MHz，600瓦特射頻電源。可選配自動或手動匹配器。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統-工藝處理真空泵浦
根據用戶的工藝需要，BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統配備機械泵、機械泵及渦輪分子泵，或是帶魯氏鼓風機的機械泵。也可根據所需真空處理級別配備不同尺寸大小的真空泵浦。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統-控制器
控制器采用電腦控制整個系統。基于Windows的控制軟件采用多屏幕顯示系統設備控制、數據記錄、稱呼設定及存儲，系統連鎖應需配備。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統-選配
為了增強BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統的工藝處理能力，BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統提供廣泛的工藝處理選項，包括終點檢測、水冷器（用于冷卻電極）、油霧分離器及吹掃系統、下周壓力控制、硬質陽極氧化真空艙。工藝廢氣處理系統也可提供。應離子刻蝕（RIE）/等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）任意結合的雙真空處理艙可以配置。反應離子刻蝕（RIE）/等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）組合配置具有明顯的多功能性，其優勢在于避免不同沉積工藝的交叉污染。
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統尺寸
| | 單真空處理艙 | Dual雙真空處理艙 |
寬: | 91厘米 | 104厘米 |
深: | 81厘米 | 114厘米 |
機柜高度: | 91厘米 | 91厘米 |
整機高度: | 129厘米 | 129厘米 |
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統重量
70~120公斤. （取決于具體系統配置）.
BM8-II反應離子刻蝕（RIE）/沉積（PEVCD）等離子處理系統安裝條件
等離子系統主機: | |
| | 220VAC/1/50Hz, 7A |
真空泵浦系統: |
| | 220VAC/1/50Hz, 5A |
電極冷卻水源: | 20℃ ±2℃ |
真空閥驅動氣源: | 0.88MPa |
氮氣: | 0.1~0.14MPa （用于真空處理艙吹掃）） |
氣源: | 等離子處理工藝氣體, VCR 管件 |
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