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北京市卓川電子科技有限公司
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磁電阻與巨磁電阻效應綜合實驗儀儀器主要技術參數：
1 ．多層膜巨磁電阻傳感器 線性范圍 0.15mT － 1.05mT 靈敏度 30.0mV/V/mT － 42.0mV/V/mT
自旋閥巨磁電阻傳感器 線性范圍 -0.81mT － 0.87mT 靈敏度 13.0mV/V/mT － 16.0mV/V/mT
產品標題
磁電阻與巨磁電阻效應綜合實驗儀北京
型號
FD.12-FFD-MRS-A型
簡介
由磁場引起材料電阻變化的現象稱為磁電阻效應。目前發現的磁電阻效應有：正常磁電阻效應（OMR）、各向異性磁電阻效應（AMR）、巨磁電阻效應（GMR）、龐磁電阻效應（CMR）及隧穿磁電阻效應（TMR）等。
本儀器提供三種磁電阻傳感器，分別為多層膜巨磁電阻傳感器、自旋閥巨磁電阻傳感器、各向異性磁電阻傳感器。幫助學生了解不同磁電阻效應的原理及應用，儀器安全可靠，實驗內容豐富?？捎糜诟咝?、中專的基礎物理實驗、近代物理實驗及綜合性設計性物理實驗。
應用本儀器可完成以下實驗：
1．了解不同磁電阻效應原理，測量不同磁場下三種材料磁電阻阻值RB，作RB/R0-B關系圖，求電阻相對變化率（RB-R0）/R0的zui大值；
2.學習磁電阻傳感器定標方法，計算三種磁電阻傳感器靈敏度；
3．測量三種磁電阻傳感器輸出電壓V輸出與通電導線電流I的關系；
4．作自旋閥巨磁電阻傳感器磁滯回線。
儀器主要技術參數：
1．多層膜巨磁電阻傳感器線性范圍0.15mT－1.05mT靈敏度30.0mV/V/mT－42.0mV/V/mT
自旋閥巨磁電阻傳感器線性范圍-0.81mT－0.87mT靈敏度13.0mV/V/mT－16.0mV/V/mT
各向異性磁電阻傳感器線性范圍-0.6mT－0.6mT靈敏度8.0mV/V/mT－12.0mV/V/mT
2．亥姆霍茲線圈單只線圈匝數N=200匝，半徑10cm
3．亥姆霍茲線圈用恒流源輸出電流0－1.2A連續可調
4．測量用恒流源輸出電流0－5A連續可調
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