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技術(shù)文章

人體放電模式

閱讀:7774發(fā)布時間:2010-2-3

人體放電模式(Human-Body Model, HBM)產(chǎn)生的ESD是指因人體在地上走動磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電,當(dāng)此人去碰觸到IC時,人體上的靜電便會經(jīng)由電子元器件而進(jìn)入電子元器件內(nèi),再經(jīng)由電子元器件放電到地去,如圖1(a)所示。此放電的過程會在短到幾百毫微秒(ns)的時 間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流,此電流會把電子元器件內(nèi)的元件燒毀。 不同HBM靜電電壓相對產(chǎn) 生的瞬間放電電流與時間的關(guān)系見于圖1(b)。對一般商用IC的2-KV ESD放電電壓而言,其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33 安培。

 



圖1(a)HBM的ESD發(fā)生情形


 




圖1(b)在不同HBM靜電電壓下,其靜電放電之電流與時間的關(guān)系

 

       有關(guān)于HBM的ESD已有工業(yè)測試的標(biāo)準(zhǔn),為現(xiàn)今各國用來判斷IC之ESD可靠度的重要依據(jù)。圖2顯示此工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) (MIL-STD-883Cmethod 3015.7)的等效電路圖,其中人體的 等效電容定為100pF,人體的等效放電電阻定為1.5K Ω。另\\外在電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(EIA/JEDEC STANDARD)中 ,亦對此人體放電模式訂定測試規(guī)范(EIA/JESD22-A114-A),詳細(xì)情形請參閱該工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

 


 


表1人體放電模式(HBM)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測試等效電路及其耐壓能力等級分類

 



CLASSIFICATION

Sensitivity

Class1

0 to 1,999Volts

Class2

2,000 to3,999 Volts

Class3

4,000 to15,999 Volts

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