1、防盜報(bào)警系統(tǒng)的組成部分?
　　
　　一般的防盜報(bào)警系統(tǒng)通常由前端探測(cè)器、中間傳輸部分和報(bào)警主機(jī)組成，當(dāng)然這只是指一般的防盜報(bào)警系統(tǒng)，如果你碰到的是大型的防盜報(bào)警系統(tǒng)，那么這類防盜報(bào)警系統(tǒng)則是由前端部分，傳輸部分和后端部分組成，其中前端部分是指：探測(cè)器和報(bào)警主機(jī)，傳輸部分是指：從報(bào)警主機(jī)到接警機(jī)之間是如何傳輸?shù)模蠖瞬糠质侵福褐行慕泳糠帧?br />　　
　　2、防盜報(bào)警系統(tǒng)傳輸方式?
　　
　　防盜報(bào)警系統(tǒng)的傳輸方式主要是有線和無(wú)線這兩種傳輸方式。
　　
　　3、防盜報(bào)警系統(tǒng)防區(qū)類型?
　　
　　防盜報(bào)警系統(tǒng)主要的防區(qū)類型包括：出入防區(qū)、即時(shí)防區(qū)、內(nèi)部防區(qū)、24小時(shí)防區(qū)等幾類
　　
　　4、外出布防是指什么?
　　
　　外出布防是指用戶全部離開防盜報(bào)警系統(tǒng)保護(hù)區(qū)域時(shí)對(duì)系統(tǒng)布防的一種模式。在外出布防模式下，防盜報(bào)警系統(tǒng)中所有防區(qū)均處于工作狀態(tài)
　　
　　5、留守布防是指什么?
　　
　　留守布防是指用戶處在報(bào)警系統(tǒng)內(nèi)部保護(hù)區(qū)域時(shí)對(duì)系統(tǒng)布防的一種模式，在此布防模式下，系統(tǒng)中的所有周邊防區(qū)(如室外的周界探頭、窗磁、陽(yáng)臺(tái)的幕簾式探頭等)處于布防狀態(tài)，而系統(tǒng)中的內(nèi)部防區(qū)(一般是安裝在室內(nèi)的紅外探頭)會(huì)自動(dòng)被系統(tǒng)旁路，內(nèi)部人員可在此區(qū)域內(nèi)自動(dòng)活動(dòng)而不會(huì)產(chǎn)生報(bào)警。
　　
　　6、進(jìn)入延時(shí)是指什么?
　　
　　進(jìn)入延時(shí)是指人員在外面進(jìn)入出入防區(qū)后，出入防區(qū)即被觸發(fā)，但此時(shí)系統(tǒng)不會(huì)立即發(fā)生報(bào)警，而是處于進(jìn)入延時(shí)狀態(tài)中(一般也為幾十秒鐘)。在此過程中你必須立即對(duì)報(bào)警系統(tǒng)進(jìn)行正確撤防，否則進(jìn)入延時(shí)結(jié)束后系統(tǒng)將產(chǎn)生報(bào)警。
　　
　　7、外出延時(shí)是指什么?
　　
　　外出延時(shí)是指系統(tǒng)進(jìn)行了布防操作后留給操作人員離開出入防區(qū)的一段延時(shí)時(shí)間(一般幾十秒鐘)。你必須在這段時(shí)間內(nèi)離開出入防區(qū)，否則延時(shí)結(jié)束后你將觸發(fā)該出入防區(qū)。
　　
　　8、旁路是指什么?
　　
　　旁路是指在布防時(shí)使某個(gè)或某些防區(qū)不加入布防。
　　
　　9、探測(cè)器的類型?
　　
　　探測(cè)器的類型可以分為：
　　
　　探測(cè)器分很多種紅外探測(cè)器、震動(dòng)感應(yīng)探測(cè)器、燃?xì)庑孤短綔y(cè)器、煙霧探測(cè)器、溫度探測(cè)器、門磁探測(cè)器等等
　　
　　10、主動(dòng)紅外探測(cè)器工作原理?
　　
　　主動(dòng)紅外探測(cè)器安裝后數(shù)秒種已適應(yīng)環(huán)境，在無(wú)人或動(dòng)物進(jìn)入探測(cè)區(qū)域時(shí)，現(xiàn)場(chǎng)的紅外輻射穩(wěn)定不變，一旦有人體紅外線輻射進(jìn)來(lái)，經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)聚焦就使熱釋電器件產(chǎn)生突變電信號(hào)，而發(fā)出警報(bào)。
　　
　　11、被動(dòng)紅外探測(cè)器工作原理
　　
　　當(dāng)有入侵者通過探測(cè)區(qū)域時(shí)，探測(cè)器將自動(dòng)探測(cè)區(qū)域內(nèi)人體的活動(dòng)。如有動(dòng)態(tài)移動(dòng)現(xiàn)象，它則向控制主機(jī)發(fā)送報(bào)警信號(hào)
　　
　　1、LED芯片的制造流程是怎樣的？
　　
　　LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間zui小的壓降及提供焊線的壓墊，同時(shí)盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10？4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導(dǎo)體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來(lái)，使留下來(lái)的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結(jié)束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護(hù)下進(jìn)行。合金化的時(shí)間和溫度通常是根據(jù)半導(dǎo)體材料特性與合金爐形式等因素決定。當(dāng)然若是藍(lán)綠等芯片電極工藝還要復(fù)雜，需增加鈍化膜生長(zhǎng)、等離子刻蝕工藝等。
　　
　　2、LED芯片制造工序中，哪些工序?qū)ζ涔怆娦阅苡休^重要的影響？
　　
　　一般來(lái)說(shuō)，LED外延生產(chǎn)完成之后她的主要電性能已定型，芯片制造不對(duì)其產(chǎn)甞核本性改變，但在鍍膜、合金化過程中不恰當(dāng)?shù)臈l件會(huì)造成一些電參數(shù)的不良。比如說(shuō)合金化溫度偏低或偏高都會(huì)造成歐姆接觸不良，歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。在切割后，如果對(duì)芯片邊緣進(jìn)行一些腐蝕工藝，對(duì)改善芯片的反向漏電會(huì)有較好的幫助。這是因?yàn)橛媒饎偸拜喌镀懈詈螅酒吘墪?huì)殘留較多的碎屑粉末，這些如果粘在LED芯片的PN結(jié)處就會(huì)造成漏電，甚至?xí)袚舸┈F(xiàn)象。另外，如果芯片表面光刻膠剝離不干凈，將會(huì)造成正面焊線難與虛焊等情況。如果是背面也會(huì)造成壓降偏高。在芯片生產(chǎn)過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結(jié)構(gòu)等辦法可以提高光強(qiáng)。
　　
　　3、LED芯片為什么要分成諸如8mil、9mil、…，13∽22mil，40mil等不同尺寸？尺寸大小對(duì)LED光電性能有哪些影響？
　　
　　LED芯片大小根據(jù)功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據(jù)客戶要求可分為單管級(jí)、數(shù)碼級(jí)、點(diǎn)陣級(jí)以及裝飾照明等類別。至于芯片的具體尺寸大小是根據(jù)不同芯片生產(chǎn)廠家的實(shí)際生產(chǎn)水平而定，沒有具體的要求。只要工藝過關(guān)，芯片小可提高單位產(chǎn)出并降低成本，光電性能并不會(huì)發(fā)生根本變化。芯片的使用電流實(shí)際上與流過芯片的電流密度有關(guān)，芯片小使用電流小，芯片大使用電流大，它們的單位電流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用電流是20mA的話，那么40mil芯片理論上使用電流可提高16倍，即320mA。但考慮到散熱是大電流下的主要問題，所以它的發(fā)光效率比小電流低。另一方面，由于面積增大，芯片的體電阻會(huì)降低，所以正向?qū)妷簳?huì)有所下降。
　　
　　4、LED大功率芯片一般指多大面積的芯片？為什么？
　　
　　用于白光的LED大功率芯片一般在市場(chǎng)上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。由于量子效率一般小于20%大部分電能會(huì)轉(zhuǎn)換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要，要求芯片有較大的面積。
　　
　　5、制造GaN外延材料的芯片工藝和加工設(shè)備與GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求？為什么？
　　
　　普通的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半導(dǎo)體材料，一般都可以做成N型襯底。采用濕法工藝進(jìn)行光刻，zui后用金剛砂輪刀片切割成芯片。GaN材料的藍(lán)綠芯片是用的藍(lán)寶石襯底，由于藍(lán)寶石襯底是絕緣的，所以不能作為L(zhǎng)ED的一個(gè)極，必須通過干法刻蝕的工藝在外延面上同時(shí)制作P/N兩個(gè)電極并且還要通過一些鈍化工藝。由于藍(lán)寶石很硬，用金剛砂輪刀片很難劃成芯片。它的工藝過程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而復(fù)雜。
　　
　　“從全國(guó)來(lái)說(shuō)，LED芯片產(chǎn)能有過剩的苗頭，但對(duì)于廣東省來(lái)說(shuō)，當(dāng)?shù)厣嫌苇h(huán)節(jié)屬于缺失的，我們希望政府加大對(duì)上游的支持力度。”廣東甘化證券部人士表示。