在中國存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起的同時(shí)，“攪局者”的出現(xiàn)正緩緩改變著戰(zhàn)場(chǎng)的局勢(shì)……隨著國內(nèi)3D NAND Flash技術(shù)的不斷突破與成熟，加之DRAM產(chǎn)量的不斷提升，未來與五大存儲(chǔ)器*的差距將越來越小。
隨著信息化浪潮的不斷涌起，智能手機(jī)、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域迎來高速發(fā)展契機(jī)。值此背景之下，其上游存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)再遇爆發(fā)期，作為生產(chǎn)、消費(fèi)大國的中國，自然*，成為存儲(chǔ)器芯片大戰(zhàn)的主戰(zhàn)場(chǎng)。在中國存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起的同時(shí)，“攪局者”的出現(xiàn)正緩緩改變著戰(zhàn)場(chǎng)的局勢(shì)……
美日韓的壟斷之勢(shì)
在半導(dǎo)體市場(chǎng)日益擴(kuò)張的趨勢(shì)下，芯片市場(chǎng)供不應(yīng)求之勢(shì)越發(fā)明顯，這其中又以存儲(chǔ)器市場(chǎng)為zui。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2016存儲(chǔ)器市場(chǎng)容量約800億美元左右，約占半導(dǎo)體市場(chǎng)的23%，是僅次于邏輯電路的第二大產(chǎn)品。
以目前市場(chǎng)來看，存儲(chǔ)器主要分為DRAM和NAND Flash兩大類。其中2016年DARM市場(chǎng)容量約414億美元，NAND Flash約346億美元。在DRAM方面，DRAM價(jià)格持續(xù)七個(gè)季度高漲，是歷來漲勢(shì)zui久的一次，據(jù)業(yè)界人士預(yù)測(cè)，此漲勢(shì)將持續(xù)至2018年第二季度。在NAND Flash方面，NAND Flash產(chǎn)線出現(xiàn)2D向3D轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，且3D NAND 在SSD產(chǎn)品上的應(yīng)用也日趨增多，至此閃存市場(chǎng)供應(yīng)得到緩解。
而在供應(yīng)短缺以及高增長的背后，壟斷之勢(shì)也越發(fā)明顯。據(jù)數(shù)據(jù)調(diào)查顯示，僅三星電子、SK海力士、英特爾、美光科技以及東芝半導(dǎo)體等五家美日韓半導(dǎo)體企業(yè)，幾乎壟斷了95%左右的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。
以三星電子為例，據(jù)業(yè)界人士預(yù)估，在三星今年260億美元半導(dǎo)體資金中，3D NAND Flash約為140億美元，DRAM約為70億美元。面對(duì)如此“誘人”的存儲(chǔ)器市場(chǎng)，三星電子*無法忍住誘惑。據(jù)消息透漏，三星電子計(jì)劃于2018年將DRAM價(jià)格上調(diào)5%左右，并且會(huì)加大3D NAND Flash技術(shù)研發(fā)的投入。而且，隨著智能手機(jī)、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)需求的增加，3D NAND Flash將得到長足發(fā)展。在這種趨勢(shì)下，中國也開始了布局。
紫光“攪局” 破勢(shì)而出
事實(shí)上，在存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求的不斷驅(qū)動(dòng)下，中國存儲(chǔ)器市場(chǎng)的起色也很明顯。為了打破美日韓企業(yè)的壟斷之勢(shì)，中國芯片企業(yè)并未放棄對(duì)半導(dǎo)體的研究。而且隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷衍進(jìn)，存儲(chǔ)器芯片研發(fā)難度隨之加大，加之3D NAND技術(shù)的出現(xiàn)，都為國產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商彎道超車提供了機(jī)會(huì)。
2016年，在三星電子、SK海力士、英特爾、美光以及東芝等存儲(chǔ)器廠商開始量產(chǎn)32層3D NAND Flash的時(shí)候，國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商才開始布局，錯(cuò)失良機(jī)的國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商急忙與政府合作，投資建立“國產(chǎn)存儲(chǔ)器基地”，建設(shè)3座單座潔凈面積zui大的3D NAND Flash FAB廠房以供3D NAND Flash研發(fā)與生產(chǎn)。在這場(chǎng)3D NAND Flash市場(chǎng)之戰(zhàn)中，紫光首先“舉旗”，長江存儲(chǔ)、武漢新芯以及中國科學(xué)院微電子研究所緊隨其后，互相配合共同研發(fā)3D NAND Flash技術(shù)。
2017年11月中旬，長江存儲(chǔ)已經(jīng)成功研發(fā)出32層3D NAND Flash芯片，預(yù)計(jì)將于2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前，紫光與長江存儲(chǔ)已經(jīng)在研究64層3D NAND Flash技術(shù)，預(yù)計(jì)將于2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存
當(dāng)然，彎道超車依舊困難重重。從國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商的發(fā)展情況來看，主要面臨的機(jī)遇有以下四點(diǎn)：
其一，存儲(chǔ)器芯片價(jià)格持續(xù)走高、市場(chǎng)供不應(yīng)求的趨勢(shì)；其二，智能手機(jī)、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等科技的不斷發(fā)展，導(dǎo)致存儲(chǔ)器芯片的需求也隨之增加；其三，存儲(chǔ)器技術(shù)突破的趨勢(shì)減緩，各項(xiàng)技術(shù)的不斷成熟；其四，國家政策的不斷出臺(tái)，政企聯(lián)合之勢(shì)擴(kuò)大。
在機(jī)遇存在的同時(shí)，國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商所面臨的挑戰(zhàn)也不可謂不小，主要體現(xiàn)在以下三方面：
其一，國內(nèi)存儲(chǔ)器技術(shù)人才匱乏，導(dǎo)致技術(shù)研發(fā)速度過慢；其二，原材料價(jià)格的不斷上漲，導(dǎo)致投入過高；其三，存儲(chǔ)器增長過快，產(chǎn)能過剩的風(fēng)險(xiǎn)隨時(shí)將至。
小結(jié)：
從國內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的趨勢(shì)來看，紫光以及長江存儲(chǔ)已成為“攪局者”，于國內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)而言，將是一把利劍，也是打破美日韓壟斷國內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的希望?？梢灶A(yù)料的是，隨著國內(nèi)3D NAND Flash技術(shù)的不斷突破與成熟，加之DRAM產(chǎn)量的不斷提升，未來與五大存儲(chǔ)器*的差距將越來越小。
(原標(biāo)題：中國存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起 誰將成為“攪局者”？)
