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5A100V N溝道場效應(yīng)管LED驅(qū)動MOS管

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產(chǎn)品型號HC160N10LS

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地深圳市

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更新時間:2018-09-01 17:18:33瀏覽次數(shù):541次

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產(chǎn)品簡介

5A100V N溝道場效應(yīng)管LED驅(qū)動MOS管
低結(jié)電容,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過電流大,抗沖擊能力強(qiáng)

詳細(xì)介紹

型號:HC160N10LS ,絲印:HC510,參數(shù):5A100V ,類型:N溝道場效應(yīng)管,內(nèi)阻155mR,低結(jié)電容405pF,  封裝:貼片(SOT23-3),低開啟電壓1.5V,低結(jié)電容,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過電流大,抗沖擊能力強(qiáng),可用于LED照明、安防監(jiān)控等市場。

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5A100V N溝道場效應(yīng)管LED驅(qū)動MOS管

5A100V N溝道場效應(yīng)管LED驅(qū)動MOS管

 

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MOS開關(guān)管損失

      不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會在這個電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗?,F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。

      MOS在導(dǎo)通和截止的時候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程,流過的電流有一個上升的過程,在這段時間內(nèi),MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多,而且開關(guān)頻率越快,損失也越大。

      導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。縮短開關(guān)時間,可以減小每次導(dǎo)通時的損失;降低開關(guān)頻率,可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。

     MOS管驅(qū)動

      跟雙性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個很容易做到,但是,我們還需要速度。
      在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動,實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流,因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時*要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
      第二注意的是,普遍用于驅(qū)動的NMOS,導(dǎo)通時需要是柵電壓大于源電壓。而驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源電壓與漏電壓(VCC)相同,所以這時柵電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。

      上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓,設(shè)計時當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高,導(dǎo)通速度越快,導(dǎo)通電阻也越小。現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里,但在12V汽車電子系統(tǒng)里,一般4V導(dǎo)通就夠用了。

   

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