LN5S21是一顆內置MOSFET的高性能的開關電源次級側同步整流功率開關集成電路，

可以方便地在應用中構建滿足 CoC V5 及 DoE 2016 等 6 級能效的 5~20V電壓范圍2.5A電流級別的快速充電開關電源系統，

是性能優異的理想二極管整流器解決方案。

芯片內置了*的TrueWaveTM全時波形追蹤技術，可支持高達 150kHz 的開關頻率應用，并且支持 CCM/CrM/DCM 等各種開關電源工作模式應用，

可在開關電源的每一個波形轉換的邊沿自動快速打開或關閉內部的 Low RdsON MOSFET 器件，

利用其極低的導通壓降實現遠小于諸如肖特基二極管的導通損耗，極大提高了系統的轉換效率， 大幅降低了整流器件的溫度，

可方便地實現*轉換效率的低壓大電流的開關電源應用。

芯片內置耐壓高達 105V 的 NMOSFET 同步整流功率開關，且具有極低的內阻，典型 RdsON 低至15mΩ，

可提供系統達 2.5A 電流輸出能力， 獲得優異的轉換效能，大幅提高轉換效率。

芯片還內置了高壓直接檢測技術，檢測端子耐壓高達 105V，配合高達 40V 的供電電壓范圍，

使得控制器可直接使用從變壓器端子上獲得的正反激能量進行供電操作，

從而通過簡單的方式得到更佳的導通電阻性能并允許輸出電壓下降到很低的值。

高集成度的電路設計使得芯片外圍電路極其簡單，在 5V/9V/15V/20V 快充應用中，

僅需一顆電容器件即可構建一個完整的同步整流應用。

可提供滿足 RoHs 要求的SOP8封裝。
主要特點：
內置 TrueWaveTM 實時波形追蹤技術
5V/9V/15V/20V 超寬范圍同步整流
支持開關電源 CCM/CrM/DCM 模式
內置 NMOSFET VDS 耐壓高達 105V
內置 NMOSFET RdsON 低至 15mΩ
比傳統二極管整流效率提高 3~6%
極寬的工作電壓范圍 4V 至 40V
允許使用簡單的正反激整流方式供電
也可 5V 直接供電或由輔助繞組供電
無開關時靜態工作電流可低至 0.2mA
支持開關電源頻率至 150kHz
至簡外圍簡應用無需任何外部器件
合理腳位布局的標準 SOP8 封裝形式
應用領域:
5V2.4A~12V2.5A 充電器

高效率適配器