LN5S21是一顆內(nèi)置MOSFET的高性能的開關(guān)電源次級(jí)側(cè)同步整流功率開關(guān)集成電路，

可以方便地在應(yīng)用中構(gòu)建滿足 CoC V5 及 DoE 2016 等 6 級(jí)能效的 5~20V電壓范圍2.5A電流級(jí)別的快速充電開關(guān)電源系統(tǒng)，

是性能優(yōu)異的理想二極管整流器解決方案。

芯片內(nèi)置了*的TrueWaveTM全時(shí)波形追蹤技術(shù)，可支持高達(dá) 150kHz 的開關(guān)頻率應(yīng)用，并且支持 CCM/CrM/DCM 等各種開關(guān)電源工作模式應(yīng)用，

可在開關(guān)電源的每一個(gè)波形轉(zhuǎn)換的邊沿自動(dòng)快速打開或關(guān)閉內(nèi)部的 Low RdsON MOSFET 器件，

利用其極低的導(dǎo)通壓降實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)小于諸如肖特基二極管的導(dǎo)通損耗，極大提高了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率， 大幅降低了整流器件的溫度，

可方便地實(shí)現(xiàn)*轉(zhuǎn)換效率的低壓大電流的開關(guān)電源應(yīng)用。

芯片內(nèi)置耐壓高達(dá) 105V 的 NMOSFET 同步整流功率開關(guān)，且具有極低的內(nèi)阻，典型 RdsON 低至15mΩ，

可提供系統(tǒng)達(dá) 2.5A 電流輸出能力， 獲得優(yōu)異的轉(zhuǎn)換效能，大幅提高轉(zhuǎn)換效率。

芯片還內(nèi)置了高壓直接檢測(cè)技術(shù)，檢測(cè)端子耐壓高達(dá) 105V，配合高達(dá) 40V 的供電電壓范圍，

使得控制器可直接使用從變壓器端子上獲得的正反激能量進(jìn)行供電操作，

從而通過簡(jiǎn)單的方式得到更佳的導(dǎo)通電阻性能并允許輸出電壓下降到很低的值。

高集成度的電路設(shè)計(jì)使得芯片外圍電路極其簡(jiǎn)單，在 5V/9V/15V/20V 快充應(yīng)用中，

僅需一顆電容器件即可構(gòu)建一個(gè)完整的同步整流應(yīng)用。

可提供滿足 RoHs 要求的SOP8封裝。
主要特點(diǎn)：
內(nèi)置 TrueWaveTM 實(shí)時(shí)波形追蹤技術(shù)
5V/9V/15V/20V 超寬范圍同步整流
支持開關(guān)電源 CCM/CrM/DCM 模式
內(nèi)置 NMOSFET VDS 耐壓高達(dá) 105V
內(nèi)置 NMOSFET RdsON 低至 15mΩ
比傳統(tǒng)二極管整流效率提高 3~6%
極寬的工作電壓范圍 4V 至 40V
允許使用簡(jiǎn)單的正反激整流方式供電
也可 5V 直接供電或由輔助繞組供電
無開關(guān)時(shí)靜態(tài)工作電流可低至 0.2mA
支持開關(guān)電源頻率至 150kHz
至簡(jiǎn)外圍簡(jiǎn)應(yīng)用無需任何外部器件
合理腳位布局的標(biāo)準(zhǔn) SOP8 封裝形式
應(yīng)用領(lǐng)域:
5V2.4A~12V2.5A 充電器

高效率適配器