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北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司
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更新時(shí)間：2024-02-01 12:32:51瀏覽次數(shù)：125次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 智慧城市網(wǎng)介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀（ZJD-87型）采用數(shù)字液晶顯示，是通過GB1409中的Q表法測試固體/液體絕緣材料介電常數(shù)及介質(zhì)損耗因數(shù)的分析儀器。它以單片計(jì)算機(jī)控制儀器，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定、諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索、Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至低值，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測量時(shí)更為精確。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀（ZJD-87型）
技術(shù)參數(shù)：
準(zhǔn)確度： Cx:±（讀數(shù)×0.5%+0.5pF）；tgδ:±（讀數(shù)×0.5%+0.00005）；
電容量范圍：內(nèi)施高壓：3pF～60000pF/10kV；60pF～1μF/0.5kV；外施高壓：3pF～1.5μF/10kV；60pF～30μF/0.5kV；
分辨率：最高0.001pF，4位有效數(shù)字；
介電常數(shù)ε測試范圍：0-200；
介電常數(shù)ε準(zhǔn)確度：0.5%
介質(zhì)損耗tgδ測試范圍：不限，
介質(zhì)損耗tgδ分辨率：0.000001，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
試驗(yàn)電流范圍：5μA～5A；
內(nèi)施高壓：設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV ；
最大輸出電流：200mA；
升降壓方式：電壓隨意設(shè)置。比如5123V。
試驗(yàn)頻率： 40-70Hz單頻隨意設(shè)置。比如48.7Hz.
頻率精度：±0.01Hz
外施高壓：接線時(shí)最大試驗(yàn)電流5A，工頻或變頻40-70Hz
環(huán)境溫度：20±5℃
相對(duì)濕度：65±5%
高低壓電極之間距離：0~5mm可調(diào)
百分表示值wu差：0.01mm
測量極直徑：50mm（表面積19.6cm2）
空極tgδ：≤3×10-5
最高測試電壓：2000V
體積：Ф210mm H180mm
重量：6kg
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測量實(shí)驗(yàn)
介電特性是電介質(zhì)材料極其重要的性質(zhì)。在實(shí)際應(yīng)用中，電介質(zhì)材料的介電系數(shù)和介質(zhì)損耗是非常重要的參數(shù)。例如，制造電容器的材料要求介電系數(shù)盡量大，而介質(zhì)損耗盡量小。相反地，制造儀表絕緣器件的材料則要求介電系數(shù)和介質(zhì)損耗都盡量小。而在某些特殊情況下，則要求材料的介質(zhì)損耗較大。所以，通過測定介電常數(shù)(ε)及介質(zhì)損耗角正切(tgδ)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)。
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>
1、探討介質(zhì)極化與介電常數(shù)、介質(zhì)損耗的關(guān)系；
2、了解高頻Q表的工作原理；
3、掌握室溫下用高頻Q表測定材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值。
二、實(shí)驗(yàn)原理
按照物質(zhì)電結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn)，任何物質(zhì)都是由不同的電荷構(gòu)成，而在電介質(zhì)中存在原子、分子和離子等。當(dāng)固體電介質(zhì)置于電場中后會(huì)顯示出一定的極性，這個(gè)過程稱為極化。對(duì)不同的材料、溫度和頻率，各種極化過程的影響不同。
1、介電常數(shù)(ε)：某一電介質(zhì)(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量Cx與同樣大小的介質(zhì)為真空的電容器的電容量Co之比值，被稱為該電介質(zhì)材料的相對(duì)介電常數(shù)。
式中：Cx —電容器兩極板充滿介質(zhì)時(shí)的電容；
Cο —電容器兩極板為真空時(shí)的電容；
ε —電容量增加的倍數(shù)，即相對(duì)介電常數(shù)
介電常數(shù)的大小表示該介質(zhì)中空間電荷互相作用減弱的程度。作為高頻絕緣材料，ε要小，特別是用于高壓絕緣時(shí)。在制造高電容器時(shí)，則要求ε要大，特別是小型電容器。
在絕緣技術(shù)中，特別是選擇絕緣材料或介質(zhì)貯能材料時(shí)，都需要考慮電介質(zhì)的介電常數(shù)。此外，由于介電常數(shù)取決于極化，而極化又取決于電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和分子運(yùn)動(dòng)的形式。所以，通過介電常數(shù)隨電場強(qiáng)度、頻率和溫度變化規(guī)律的研究，還可以推斷絕緣材料的分子結(jié)構(gòu)。
2．介電損耗(tgδ)：指電介質(zhì)材料在外電場作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場作用下，介質(zhì)沒有周期性損耗，基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗；在交流電場作用下，介質(zhì)損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外，還有各種交流損耗。由于電場的頻繁轉(zhuǎn)向，電介質(zhì)中的損耗要比直流電場作用時(shí)大許多(有時(shí)達(dá)到幾千倍)，因此介質(zhì)損耗通常是指交流損耗。
在工程中，常將介電損耗用介質(zhì)損耗角正切tgδ來表示。tgδ是絕緣體的無效消耗的能量對(duì)有效輸入的比例，它表示材料在一周期內(nèi)熱功率損耗與貯存之比，是衡量材料損耗程度的物理量。
tg
式中：ω —電源角頻率；
R —并聯(lián)等效交流電阻；
C —并聯(lián)等效交流電容器
凡是體積電阻率小的，其介電損耗就大。介質(zhì)損耗對(duì)于用在高壓裝置、高頻設(shè)備，特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義，介質(zhì)損耗過大，不僅降低整機(jī)的性能，甚至?xí)斐山^緣材料的熱擊穿。
3、Q值：tgδ的倒數(shù)稱為品質(zhì)因素，或稱Q值。Q值大，介電損失小，說明品質(zhì)好。所以在選用電介質(zhì)前，必須首先測定它們的ε和tgδ。而這兩者的測定是分不開的。
通常測量材料介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切的方法有二種：交流電橋法和Q表測量法，其中Q表測量法在測量時(shí)由于操作與計(jì)算比較簡便而廣泛采用。本實(shí)驗(yàn)主要采用的是Q表測量法。
4、陶瓷介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)測試儀：它由穩(wěn)壓電源、高頻信號(hào)發(fā)生器、定位電壓表CBl、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標(biāo)準(zhǔn)可調(diào)電容器等組成(圖2)。工作原理如下：高頻信導(dǎo)發(fā)生器的輸出信號(hào)，通過低阻抗耦合線圈將信號(hào)饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號(hào)幅度的調(diào)節(jié)是通過控制振蕩器的簾柵極電壓來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)調(diào)節(jié)定位電壓表CBl指在定位線上時(shí)，Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當(dāng)Vi調(diào)節(jié)在一定數(shù)值(10mV)后，可以使測量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度，即可直接的讀出Q值，而不必計(jì)算。另外，電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是：如果直接測量Vi必須增加大量電子組件才能測量出高頻低電壓信號(hào)，成本較高。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達(dá)到同樣的目的。
圖1 Q表測量電路圖
經(jīng)推導(dǎo)(1) 介電常數(shù)：
(1)
式中：C1—標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的電容量；
C2—樣品測試的電容量；
d—試樣的厚度(cm)；
Φ—試樣的直徑(cm)；
(2) 介質(zhì)損耗角正切：
(2)
式中：Q1—標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的Q值；
Q2—樣品測試的Q值；
(3) Q值：
(3)
三、實(shí)驗(yàn)儀器及設(shè)備
1、儀器設(shè)備：
(1) Q表測試儀、電感箱、樣品夾具等；
(2) 千分游標(biāo)卡尺；
2、樣品要求：圓形片：厚度2±0.5mm，直徑為Φ38±1mm。
四、實(shí)驗(yàn)步驟
1、本儀器適用于110V/220V，50Hz交流電，使用前要檢查電壓情況，以保證測試條件的穩(wěn)定。
2、開機(jī)預(yù)熱15分鐘，使儀器恢復(fù)正常狀態(tài)后才能開始測試。
3、按部件標(biāo)準(zhǔn)制備好的測試樣品，兩面用特種鉛筆或?qū)щ娿y漿涂覆，使樣品兩面都各自導(dǎo)電，但南面之間不能導(dǎo)通，備用。
4、選擇適當(dāng)?shù)妮o助線圈插入電感接線柱。根據(jù)需要選擇振蕩器頻率，調(diào)節(jié)測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時(shí)電容為C1，品質(zhì)因素為Q1。
5、將被測樣品接在Cx接線柱上。
6、再調(diào)節(jié)測試電路電容器使電路諧振，這時(shí)電容為C2，可以直接讀出Q2。
7、用游標(biāo)卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測得兩個(gè)數(shù)據(jù)，再取其平均值)。
五、結(jié)果處理
1、ε和tgδ測定記錄：
實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)按表要求填寫。
序 號(hào) | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
試樣厚度 | ||||||
試樣直徑 | ||||||
測試數(shù)據(jù) | C1 | |||||
C2 | ||||||
Q1 | ||||||
Q2 | ||||||
計(jì)算結(jié)果 | ε | |||||
tgδ | ||||||
平均值 | ε = tgδ= | |||||
2、計(jì)算：
根據(jù)表格中測得的數(shù)據(jù)，按公式(1)、(2)分別計(jì)算各個(gè)數(shù)值。
六、注意事項(xiàng)
(1) 電壓或頻率的劇烈波動(dòng)常使電橋不能達(dá)到良好的平衡，所以測定時(shí)，電壓和頻率要求穩(wěn)定，電壓變動(dòng)不得大于1%，頻率變動(dòng)不得大于0.5%。
(2) 電極與試樣的接觸情況，對(duì)tgδ的測試結(jié)果有很大影響，因此涂銀導(dǎo)電層電極要求接觸良好、均勻，而厚度合適。
(3) 試樣吸濕后，測得的tgδ值增大，影響測量精度，應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格避免試樣吸潮。
(4) 在測量過程中，注意隨時(shí)電橋本體屏蔽的情況，當(dāng)電橋真正達(dá)到平衡，“本體－屏蔽"開關(guān)置于任何一邊時(shí)，檢查計(jì)光帶均應(yīng)最小，而無大變化。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀（ZJD-87型）
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