BAD85-BAD85戶外led防爆路燈防爆照明燈應用范圍
適用于石油開采、冶金、*儲備等企業的有爆炸性氣體的區域。
適用于爆炸性氣體環境的2區危險場所。
適用于ⅡA,ⅡB,ⅡC類爆炸性氣體環境的場所。
適用于可燃性粉塵環境的20區、21區、22區場所。
適用于潮濕、防護要求較高的場所。
問：防爆燈一般都用在什么地方呢？
答：一些給汽車、家具、機械設備噴漆的場所（比如噴漆房）也會安裝防爆燈，因為油漆也屬于易燃物品;還有像電廠，
化工廠，油庫，煤廠等這些場所都是需要防爆燈常用場所。適用于石化裝置、海上石油平臺、加油站、油庫氣站、油泵房、
中轉站、聯合站、船舶行業等易燃易爆場所作固定
問：防爆燈都有什么安裝方式？
答：防爆燈有吸頂式安裝，壁掛式安裝，支架式安裝，支架式安裝，管吊式安裝，
法蘭式安裝，護欄式安裝，高頂式安裝等多種安裝方式！
問：一般安裝防爆燈有什么要求？
答：防爆燈在安裝前要從銘牌與產品說明書中核對:防爆型式、類別、級別、組別；外殼的防護等級；安裝方式及安裝用的緊固件要求等。
防爆燈的安裝要確保固定牢靠，緊固螺栓不得任意更換，彈簧墊圈應齊全。防塵、防水用的密封圈安裝時要原樣放置好。
電纜進線處，電纜與密封墊圈要緊密配合，電纜的斷面應為圓形，且護套表面不應有凹凸等缺陷。多余的進線口，
須按防爆類型進行封堵，并將壓緊螺母擰緊，使進線口密封。
在中國LED芯片產業的發展過程中，早期產品主要以普通亮度為主，生產廠商也只有南昌欣磊等少數幾家。進入2003年后，以廈門三安、大連路美為代表的幾家芯片生產企業陸續成立。針對芯片市場的需求，這些生產企業紛紛把產品重點集中在高亮度芯片，這直接帶動了中國高亮度芯片產量的快速增長。一時間，中國掀起了LED芯片產業發展的新高潮，高亮度芯片成為中國LED芯片產業發展的主要推動力。2006年中國LED芯片產量達到309.3億個，產值達到11.9億元。
對于高亮度芯片來說，2003年至今可稱為其高速發展階段。特別是隨著廈門三安、大連路美等一批高亮度芯片生產企業的產能釋放，國內高亮度芯片產量出現井噴式增長，在經歷了2003年-2005年產量增長率過*的快速增*后，2006年高亮度芯片產量繼續保持過*的增長速度，增長率達到101.4%，芯片產值增長率也達到45.0%。
隨著汽車的發展，車燈技術也在同步發展。從早期的白熾燈到電氣時代的鹵素燈泡、從技術革新的氙氣車燈到如今車燈主流的LED車燈。多年來，車燈技術發生了許多翻天覆地的變化，在汽車系統不斷變革中，汽車照明技術也不斷向前沿科技看齊。
作為汽車的重要組成部分，汽車車燈不僅僅成為了汽車的信號語言，更成為了駕駛者自身修養的延展。車燈作為汽車在行駛中的語言，需要我們對它有足夠的重視，除了照明警示之外，車燈還有很多功能，包括車燈的裝飾作用和安全作用等。
隨著科學技術的發展，車燈將逐步朝著智能化、人性化、安全化方向發展。智能車燈不僅可以更好的觀察到前方的情況，而且能避免前方來車因燈光太刺眼看不到的情況，在主動安全方面起到了很重要的作用。
BAD85-BAD85戶外led防爆路燈防爆照明燈產品優勢：
1、光通量光效*，節能低碳環保,顯色指數高,瞬間即逝啟動,冷光源，熱量低，無熱輻射安全可靠，不含汞，鈉等有害物質。
2、85-265V交流電各24V直流電兩種供電方式選擇。
3、采用LED集成模組做光源，能耗低，光效高，在相同亮度下比高壓鈉燈，汞燈，金鹵燈更節能以上。
4、LED光源為低壓直流工作，不需鎮流器，直流驅動電源與LED光源一體化于燈具中。
5、散熱設計，散熱效果優良，確保光源壽命長達5萬小時以上，真正的免維護產品。
6、外殼采用鋁合金整體壓鑄成型，表面做防高壓靜電，防腐蝕噴涂。
7、隔爆型高防爆等級，具有優良的防塵，防水，防腐防爆能力。
8、透鏡采用夠強度鋼化玻璃，耐高溫，耐蝕，透光率高。
9、選進的透鏡配光設計，多種發光角度可選，照度均勻度高，光色柔和，光射效果好。
10、*的驅動電源設計，恒流精度高，寬電壓范圍入，高功率因數，抗*電網設計。
11、外形美觀，安裝方便。
中國半導體照明產業做大做強。據悉，未來中國半導體明顯產業將進入政府大力支持、企業各顯神通的階段。據*電子信息司關白玉介紹，*正在醞釀推廣半導體照明的相關扶持政策；今年有多項半導體照明相關的國家標準、行業標準將完成報批程序，并予以公布，同時多項標準正在研究制定中。此外，鑒于半導體照明的產業鏈長，產品相關標準制定過程中，涉及多個部門。為做好標準制定工作，未來在部內實行司局聯手，在部委之間實行聯合，采取產、學、研、用聯動的工作方式，全面推動半導體照明產業的發展。據業內人士表示，如中國主管部門效仿海外發達國家，加大補貼力度，則中國半導體照明業將進一步提速。來自日本的數據顯示，由于日本政府推行的補貼政策，半導體照明燈在日本的占有率從2009年的迅速提高到今年2月的10%。各地方政府已經開始了爭建半導體照明產業基地，并加快了推廣、采購半導體照明燈的步伐。以東莞為例，自被*正式確定為“十城萬盞”半導體照明應用示范工程試點城市后，東莞表示，2011年共推廣應用半導體照明燈4萬盞，該項目從2009—2011年共分3批實施，共需投入資金億元。成都也出臺了相關補貼政策，計劃從2010年到2012年，成都市通過實施LED照明產品應用示范工程計劃，推廣應用照明用LED燈40萬盞，實現示范工程億元投資。
在中國LED芯片產業的發展過程中，早期產品主要以普通亮度為主，生產廠商也只有南昌欣磊等少數幾家。進入2003年后，以廈門三安、大連路美為代表的幾家芯片生產企業陸續成立。針對芯片市場的需求，這些生產企業紛紛把產品重點集中在高亮度芯片，這直接帶動了中國高亮度芯片產量的快速增長。一時間，中國掀起了LED芯片產業發展的新高潮，高亮度芯片成為中國LED芯片產業發展的主要推動力。2006年中國LED芯片產量達到309.3億個，產值達到11.9億元。
對于高亮度芯片來說，2003年至今可稱為其高速發展階段。特別是隨著廈門三安、大連路美等一批高亮度芯片生產企業的產能釋放，國內高亮度芯片產量出現井噴式增長，在經歷了2003年-2005年產量增長率過*的快速增*后，2006年高亮度芯片產量繼續保持過*的增長速度，增長率達到101.4%，芯片產值增長率也達到45.0%。
在中國LED芯片產業的發展過程中，早期產品主要以普通亮度為主，生產廠商也只有南昌欣磊等少數幾家。進入2003年后，以廈門三安、大連路美為代表的幾家芯片生產企業陸續成立。針對芯片市場的需求，這些生產企業紛紛把產品重點集中在高亮度芯片，這直接帶動了中國高亮度芯片產量的快速增長。一時間，中國掀起了LED芯片產業發展的新高潮，高亮度芯片成為中國LED芯片產業發展的主要推動力。2006年中國LED芯片產量達到309.3億個，產值達到11.9億元。
對于高亮度芯片來說，2003年至今可稱為其高速發展階段。特別是隨著廈門三安、大連路美等一批高亮度芯片生產企業的產能釋放，國內高亮度芯片產量出現井噴式增長，在經歷了2003年-2005年產量增長率過*的快速增*后，2006年高亮度芯片產量繼續保持過*的增長速度，增長率達到101.4%，芯片產值增長率也達到45.0%。
除了良好的外部環境外，國家對LED產業的發展也給予了大力支持。2006年，根據我國自身半導體照明的發展現狀，國家制定了符合自身發展的半導體照明產業發展計劃和2006年技術發展路線圖。在2006年技術發展路線圖中，對于LED芯片的投資將占包括材料、襯底、外延、封裝、應用以及設備在內的整體LED產業投資的20%，研究重點將放在GaN芯片的生產以及功率芯片的研發上。
雖然擁有廣泛的市場需求以及國家的大力支持，但我們也不得不承認，現階段中國LED芯片產業仍然存在核心技術缺乏、專業人才短缺、產品質量不高、設備自主生產能力弱等發展困境，如何解決上述問題是我國LED芯片產業能否持續健康快速發展的關鍵。
