K4B4G1646E 三星FLASH存儲IC DDR3緩存芯片
IC編號K4B4G1646E-BCNB
廠牌SAMSUNG/三星
IC 類別DDR3 SDRAM
IC代碼256MX16 DDR3
腳位/封裝FBGA
外包裝TRAY
無鉛/環(huán)保無鉛/環(huán)保
電壓（伏）1.5 V
溫度規(guī)格Commercial （0°C – 95°C）

K4B4G1646E 三星FLASH存儲IC DDR3緩存芯片

I IC編號 K4B4G1646E-BCNB 廠牌 SAMSUNG/三星 IC 類別 DDR3 SDRAM IC代碼 256MX16 DDR3 腳位/封裝 FBGA 外包裝 TRAY 無鉛/環(huán)保 無鉛/環(huán)保 電壓(伏) 1.5 V 溫度規(guī)格 Commercial (0°C – 95°C) 速度 DDR3-2133 (1067MHz @ CL=14, tRCD=14,tRP=14) 標準包裝數量 1120 標準外箱   潛在應用 INDUSTRIAL COMPUTER/PC DIGITAL BOARD/工業(yè)電腦/ PC數位板 SMART TV/MONITOR/TFT/LCD TV-MAKER/顯示器/智能電視製造商 UNKNOWN/未定義 Number Of Words 256M Density 4G Power Normal Power Internal Banks 8 Banks Generation 6th Generation

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 K4B4G1646E 三星FLASH存儲IC DDR3緩存芯片

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