齊岳定制MoS2/BiVO4二硫化鉬復合材料
單層二硫化鉬（MoS2），是一類具有光學、電學性質的二維半導體材料，一經發現即受到人們的關注。MoS2塊體，則是一類層與層之間以較為微弱的范德瓦爾斯力結合，層內以較強共價鍵相結合的具有多層結構的材料。當MoS2的厚度減至單層，它會從間接帶隙半導體轉變為直接帶隙半導體（禁帶寬度約為1.85 eV），其晶格結構具有六方對稱性，能帶會出現兩組不等價的能谷K與K’，從而提供了一種新的自由度：谷自由度。單層MoS2的出現，為新奇物理性質研究與光電器件制備領域開辟了新的空間。
齊岳定制MoS2/BiVO4二硫化鉬復合材料
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