摻鈮鈦酸鍶(Nb:SrTiO3)晶體基片
摻鈮鈦酸鍶與鈦酸鍶單晶具有相似的結構，但Nb:SrTiO3具有導電性。
摻鈮鈦酸鍶（Nb:SrTiO3）
摻鈮鈦酸鍶與鈦酸鍶單晶具有相似的結構，但NSTO具有導電性。目前我們可以提供摻鈮濃度為：0.05％，0.1％，0.5％ 和0.7％的Nb:SrTiO3.
主要性能參數 | ||||
Nb:SrTiO3 | A | B | C | D |
Nb 濃度(wt%) | 1.0 | 0.7 | 0.5 | 0.1 |
電阻率 ohm-cm | 0.0035 | 0.0070 | 0.05 | 0.08 |
遷移率 cm2/vs | 9.0 | 8.5 | 8.5 | 6.5 |
特點 | Nb:SrTiO3與SrTiO3單晶具有相似的結構，但NSTO具有導電性。電阻率范圍在0.1~0.001wt%之間不同。傳導的單晶基片為薄膜和器件提供了電極。 | |||
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | |||
Ф15,Ф20，Ф1″， | ||||
厚度 | 0.5mm，1.0mm | |||
拋光 | 單面或雙面 | |||
晶向 | ＜100＞ ＜110＞ ＜111＞ | |||
晶面定向精度: | ±0.5° | |||
邊緣定向精度: | 2°（要求可達1°以內） | |||
斜切晶片 | 可按某些需求，加工邊緣取向的晶面按某些角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 | |||
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） | |||
供應產品目錄：
| GaPS4晶體 | >10平方毫米 |
| GeBi2Te4晶體 | >25平方毫米 |
| GeBi4Te7晶體 | >25平方毫米 |
| GeSb4Te7晶體 | >50平方毫米 |
| GeTe晶體 | >10平方毫米 |
| HfS3晶體 | >50平方毫米 |
| HgPSe3晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
| In2GaBi2S6晶體 | >25平方毫米 |
| In2P3S9晶體 | >10平方毫米 |
| In2Te5晶體 | >25平方毫米 |
| In3SbTe2晶體 | >50平方毫米 |
| InBi晶體 | >10平方毫米 |
| InSb晶體 | >25平方毫米 |
| InSiTe3晶體 | >50平方毫米 |
| MnBiSe 晶體 | >50平方毫米 |
| MnSbTe 晶體 | >50平方毫米 |
| Nb3GeTe6晶體 | >10平方毫米 |
| NbTe4晶體 | >25平方毫米 |
| NiCoSe2晶體 | >50平方毫米 |
| NiTe2晶體 | >10平方毫米 |
| NiTe晶體 | >25平方毫米 |
| Pb2Bi2Se5晶體 | >50平方毫米 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應產品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
摻鈮鈦酸鍶(Nb:SrTiO3)晶體基片
智慧城市網