釓鎵石榴石（GGG）晶體基片
釓鎵石榴石（GGG）是用于磁光薄膜的基片。在光通訊設(shè)備中，需大量使用1.3μ及1.5μ的光器，其部件為置于磁場中的YIG或BIG薄膜。不同切向的GGG單晶基片可以做到與這類磁光材料晶格的佳匹配，從而YIG、BIG薄膜成功的外延生長。GGG的物理、機械性能和化學穩(wěn)定性也薄膜制備過程中對基片的各項要求。GGG也是制作微波器的佳基片材料。
主要性能參數(shù) | |
晶體結(jié)構(gòu) | 立方 |
生長方法 | 提拉法 |
晶格常數(shù) | a=12.376Å,(Z=8) |
熔點（℃） | 1800 |
純度 | 99.95% |
密度（g/cm3） | 7.09 |
硬度 | 6-7（mohs） |
射率 | 1.95 |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
| dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
拋光 | 單面或雙面 |
晶向 | <111>±0.5º |
晶面定向精度: | ±0.5° |
邊緣定向精度: | 2°（要求可達1°以內(nèi)） |
斜切晶片 | 可按某些需求，加工邊緣取向的晶面按某些角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
供應產(chǎn)品目錄：
| In2P3S9晶體 | >10平方毫米 |
| In2Te5晶體 | >25平方毫米 |
| In3SbTe2晶體 | >50平方毫米 |
| InBi晶體 | >10平方毫米 |
| InSb晶體 | >25平方毫米 |
| InSiTe3晶體 | >50平方毫米 |
| MnBiSe 晶體 | >50平方毫米 |
| MnSbTe 晶體 | >50平方毫米 |
| Nb3GeTe6晶體 | >10平方毫米 |
| NbTe4晶體 | >25平方毫米 |
| NiCoSe2晶體 | >50平方毫米 |
| NiTe2晶體 | >10平方毫米 |
| NiTe晶體 | >25平方毫米 |
| Pb2Bi2Se5晶體 | >50平方毫米 |
| Pb2Bi2Te5晶體 | >25平方毫米 |
| PbBi4Te7晶體 | >50平方毫米 |
| PbBi6Te10晶體 | >10平方毫米 |
| PbSb2Te4晶體 | >25平方毫米 |
| PbSe晶體 | >25平方毫米 |
| PbS晶體 | >10平方毫米 |
| Sb2Te2Se晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 |
溫馨提示：西安齊岳生物供應產(chǎn)品用于科研，不能用于人體
yyp2021.6.24
釓鎵石榴石（GGG）晶體基片
智慧城市網(wǎng)