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束倫(上海)技術服務有限公司


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超高分辨掃描電鏡-聚焦離子束飛行時間二次離子質譜聯用儀

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產品型號*GAIA3 GMU Model 2016/GAIA3

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更新時間:2023-06-02 09:17:36瀏覽次數:279次

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產品簡介

性能指標SEM分辨率:0

詳細介紹

性能指標

  1. SEM分辨率: 0.7nm @ 15kV(COF)、1.0nm @ 15kV 1.0nm @ 1kV(COF)、1.4nm @ 1kV
  2. FIB分辨率:2.5nm @ 30kV
  3. FIB束流:1pA~50nA
  4. 探測器: 樣品室和鏡筒內二次電子探測器 樣品室和鏡筒內背散射電子探測器
  5. 質譜質量分辨率:>800
  6. 質譜探測極限:3ppm
  7. 質譜空間分辨率:40nm(水平方向) 3nm(深度方向)
  8. 附件:能譜儀(EDS)、EBSD 

主要應用

  1. 該設備在雙束電鏡(SEM/FIB)的基礎上配備了EDS和EBSD,同時還集成了一體化的TOF-SIMS。
  2. 該設備不但能進行低電壓超高分辨的電鏡觀察;
  3. 也能利用FIB對試樣進行切割、加工、沉積,從事內部和截面觀察及特定圖形加工工作。
  4. TOF-SIMS可以進行高空間分辨的質譜分析,可對包含H、Li等傳統EDS無法分析的全元素以及同位素進行分布分析。 

樣品要求

  1. 送檢樣品必須為干燥固體、塊狀、片狀、纖維狀及粉末狀均可。
  2. 應有一定的化學、物理穩定性,在真空中及電子束轟擊下不會揮發或變形;無磁性、放射性和腐蝕性。
  3. 含水分較多的生物軟組織的樣品制備,要求用戶自己進行臨界點干燥之前的固定、清洗、脫水及用醋酸(異)戊酯置換等處理,最后由本室進行臨界點干燥處理。
  4. 觀察圖像樣品應預先噴金膜。
  5. 一般情況下,樣品盡量小塊些(≤10x10x5mm較方便)。
  6. 粉末樣品每個需1克左右。
  7. 納米樣品一般需超聲波分散,并鍍鉑金膜。 

 

儀器說明

  1. 超高分辨率的電鏡適合多種試樣的極限觀察;
  2. 超高分辨率的FIB可以進行精確的試樣加工,尤適合制備定區域TEM薄片;
  3. TOF-SIMS有著遠勝于EDS的空間分辨率;
  4. 元素深度剖析有著非常高的Z方向分辨率,非常適合薄膜分析;
  5. 具有ppm級的探測靈敏度;
  6. 可進行同位素分析。

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