射頻輝光放電質(zhì)譜儀 Autoconcept GD90-RF
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北京眾星聯(lián)恒科技有限公司
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產(chǎn)品型號(hào)GD90 Trace
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更新時(shí)間:2023-03-01 09:16:15瀏覽次數(shù):298次
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公司介紹: 英國質(zhì)譜儀器有限公司(MSI)是一家專業(yè)性很強(qiáng)的公司,專門從事高性能磁性行業(yè)雙聚焦質(zhì)譜儀的設(shè)計(jì),旨在滿足有機(jī)和無機(jī)分析市場的需求。 它繼承了Kratos Analytical的技術(shù),該技術(shù)是1957年引入商業(yè)質(zhì)譜儀的。從那時(shí)起,對(duì)高精度,高分辨率儀器的需求呈指數(shù)增長。 在MSI,我們通過投資于新的開發(fā)和應(yīng)用,正在將這項(xiàng)技術(shù)提升到新的水平方面取得了巨大的進(jìn)步。 產(chǎn)品介紹: GD90 Trace 具有成熟的光學(xué)平臺(tái)和*穩(wěn)定的電子控制系統(tǒng)。 基于高性能MSI AutoConcept的離子光學(xué)系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定性、超低檢測限,使GD90 Trace性能優(yōu)于其他同類儀器。 離子源系統(tǒng) 更耐用的真空自動(dòng)閥門,可確保50,000+ 樣品的檢測 自動(dòng)抽氣,無損傷離子源渦輪泵的風(fēng)險(xiǎn)且可防止閥門意外關(guān)閉 增加過濾器,進(jìn)一步降低氣體背景噪聲 可選配干燥氣體通風(fēng)裝置,更快達(dá)到更低的氣體背景噪聲 探測系統(tǒng) 直接離子計(jì)數(shù)倍增器,減小背景噪聲。電子倍增器和法拉第杯的快速切換,可提供高達(dá)1012的線性動(dòng)態(tài)范圍 碰撞過濾器,提升豐度靈敏度 選配第二電子倍增器,備用熱抽拔式離子計(jì)數(shù)器、短壽命放射性同位素的離子計(jì)數(shù)器。用于深度剖析的快速分析探測器 電子系統(tǒng) 磁鐵控制器模塊 更少的接線 更簡易的故障診斷 更容易更換 更現(xiàn)代化的DACs和ADCs 增加穩(wěn)定性 更低的能耗 更多的靈活性 系統(tǒng)可在線更新 GD90 Trace 主要特點(diǎn) 1. 易于清洗的高純鉭放電池及離子源結(jié)構(gòu) 2. 有效的低溫制冷,將氣體背景降至 3. 同時(shí)配備了針狀和塊狀樣品池 4. 對(duì)輕/重元素?zé)o質(zhì)量偏差 5. 使用180Ta 和 181Ta來快速檢查電子倍增器和法拉第杯,確保響應(yīng)的一致性 6. 在需要更換其他惰性氣體情況(例如氪),低氣體流速更節(jié)省成本 7. 可分析不同形態(tài)的合金、高純樣品(導(dǎo)體和非導(dǎo)體) 8. 低濺射速率—常規(guī)分析條件下濺射速率從100nm/min(非導(dǎo)體)到150nm/min(導(dǎo)體);需要更低條件時(shí)可讓濺射速率再降低至少5倍。 9. RSFs和檢測限來源于已發(fā)表和易溯源的方法 10. 前端裝置可根據(jù)用戶需要專門定制手套箱用于核材料的應(yīng)用 GD90 Trace 作為高分辨雙聚焦輝光放電質(zhì)譜儀,可在單次掃描實(shí)現(xiàn)從主量元素(wt%)到超痕量元素(ppb 到亞 ppb)的全元素分析。GD90 Trace 的離子源和分析器由全不銹鋼構(gòu)成。 分辨率 連續(xù)可調(diào) 背景噪聲 <0.5cps 分析器真空 <2x10-7 mbar 基體電流 >5 x10-10 amps(Cu 樣品,在分辨率 > 4000 時(shí)的總Cu 信號(hào)) >1.5 x1 0-11amps (使用RF源,SiO2玻璃樣品) 信號(hào)強(qiáng)度穩(wěn)定性 <3% RSD (Cu 樣品,分辨率>4000,10 分鐘內(nèi)重復(fù) 5 次測量) <5% RSD (Cu 樣品,分辨率>4000,30 分鐘內(nèi)重復(fù) 15 次測量) 譜峰穩(wěn)定性 <30ppm (Cu 樣品,分辨率>4000, 對(duì) 63Cu 進(jìn)行30分鐘測量) 質(zhì)量穩(wěn)定性 <100ppm (12C 到 181Ta) 離子計(jì)數(shù)效率 >70%(相對(duì)于法拉第杯) 豐度靈敏度 <200ppb(Cu 樣品,分辨率>4000, 62Cu 相對(duì) 63Cu) 內(nèi)部重復(fù)性 主量成份< 3%RSD 次量成份< 5%RSD 痕量成份<10%RSD 外部重復(fù)性 主量成份< 5% RSD 次量成份< 10%RSD 痕量成份<20%RSD離子源高壓模塊 真空控制模塊 分析器高壓模塊 優(yōu)勢:
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