1.1.1.M1 S50 IC卡
Philips Mifare One 標(biāo)準(zhǔn)的非接觸式IC卡，符合ISO14443標(biāo)準(zhǔn),《中國(guó)金融集成電路（IC）卡應(yīng)用規(guī)范》
l 工作頻率：13.56MHz
l 通信速率：106KB波特率
l 防沖突 ：同一時(shí)間可處理多張卡
l 讀寫距離：在100mm內(nèi)（與天線形狀有關(guān)）能方便、快速地傳遞數(shù)據(jù)
l 寫卡次數(shù):10萬(wàn)次以上;
l 數(shù)據(jù)保存期:10年以上
l 在無(wú)線通訊過(guò)程中通過(guò)以下機(jī)制來(lái)保證數(shù)據(jù)完整：
u 每塊有16位CRC糾錯(cuò)
u 每字節(jié)有奇偶校驗(yàn)位
l 安全性：
u 三次相互認(rèn)證（ISO／IEC DIS 9798-2）
u 通訊過(guò)程中所有數(shù)據(jù)均加密以防止信號(hào)截取
u 每一扇區(qū)有相互獨(dú)立的密碼
u 每張卡的序列號(hào)是的，有32位
l 支持一卡多用的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
u 8K位EEPROM，無(wú)電池
u 分為16個(gè)扇區(qū)支持多種應(yīng)用
u 每個(gè)扇區(qū)包括4塊
u 塊是最小的讀寫單位，每塊包含16個(gè)字節(jié)
u 每個(gè)扇區(qū)有自己的一組密碼
u 用戶可靈活地定義每一扇區(qū)的訪問(wèn)條件
l 尺寸：符合ISO10536標(biāo)準(zhǔn)
l 工作溫度：-20℃至50℃（濕度為90%）
l 系統(tǒng)密鑰由企業(yè)掌控，自己發(fā)卡；
l 卡片內(nèi)具有完整身份信息和電子錢包信息，日常使用基本不依賴于后臺(tái)系統(tǒng)的服務(wù)。
1.1.1.CPU卡
是上海復(fù)旦微電子股份有限公司設(shè)計(jì)的單界面非接觸CPU卡，是款支持ISO14443 TypeA 協(xié)議的非接觸CPU卡芯片，該芯片采用超深亞微米CMOS EEPROM工藝，容量為64K Byte EEPROM，符合ISO14443 Type A國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，工作頻率為13.56MHz，工作距離不小于10CM，CPU指令兼容通用8051指令，內(nèi)置8位CPU和硬件DES協(xié)處理器。該芯片是符合銀行標(biāo)準(zhǔn)的接觸式CPU，COS同時(shí)支持PBOC2.0標(biāo)準(zhǔn)（電子錢包）及建設(shè)部 IC卡應(yīng)用規(guī)范，具有較好的安全性。適合安全性要求高、交易量大、交易速度快的非接觸支付應(yīng)用。
l 通信協(xié)議：ISO 14443-A
l MCU指令兼容8051
l 支持106Kbps 數(shù)據(jù)傳輸速率
l Triple-DES協(xié)處理器
l 程序存儲(chǔ)器32K×8bit ROM
l 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器8K×8bit EEPROM
l 256×8bit Iram
l 384×8bit×RAM
l 低壓檢測(cè)復(fù)位
l 高低頻檢測(cè)復(fù)位
l EEPROM滿足10萬(wàn)次擦寫指標(biāo)
l EEPROM滿足10年數(shù)據(jù)保存指標(biāo)
l 安全性
Ø 有反電源分析模塊
Ø 有高低頻檢測(cè)復(fù)位模塊，芯片工作頻率超出檢測(cè)范圍自動(dòng)復(fù)位
Ø ROM反逆向提取，存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)加密
1.1.2.國(guó)密CPU卡
是復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司設(shè)計(jì)的單界面非接觸CPU卡芯片，產(chǎn)品支持ISO14443-A協(xié)議，CPU指令兼容通用8051指令，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為8Kbyte的EEPROM。符合PBOC2.0電子存折/電子錢包規(guī)范。COS同時(shí)支持PBOC2.0標(biāo)準(zhǔn)（電子錢包）及建設(shè)部 IC卡應(yīng)用規(guī)范
l 通信協(xié)議：ISO 14443-A
l 兼容FM11RF08、M1非接觸卡
l MCU指令兼容8051
l 支持106Kbps 數(shù)據(jù)傳輸速率
l 支持國(guó)密SM1安全算法
l Triple-DES協(xié)處理器
l 程序存儲(chǔ)器32K×8bit ROM
l 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器8K×8bit EEPROM
l 256×8bit Iram
l 384×8bit×RAM
l 低壓檢測(cè)復(fù)位
l 高低頻檢測(cè)復(fù)位
l EEPROM滿足10萬(wàn)次擦寫指標(biāo)
l EEPROM滿足10年數(shù)據(jù)保存指標(biāo)
l 安全性
Ø 有反電源分析模塊
Ø 有高低頻檢測(cè)復(fù)位模塊，芯片工作頻率超出檢測(cè)范圍自動(dòng)復(fù)位
Ø ROM反逆向提取，存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)加密
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