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安徽亨利儀表電纜有限公司

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BGVFPP2扁電纜(本溪電纜廠(chǎng)庫(kù)存)

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BGVFPP2扁電纜(本溪電纜廠(chǎng)庫(kù)存)YGVFBP-10KV YGVFPB-6KV YGCFBP-10KV YJGCFRBP-10KV GKFBP-10KV YGVFRBP-10KV YGKFBP-10KV

BGVFPP2扁電纜(本溪電纜廠(chǎng)庫(kù)存)

屏蔽層既起到抑制電磁波對(duì)外發(fā)射的作用,又可作為短路電流的通道,能起到中性線(xiàn)芯的保護(hù)作用。6/10kV變頻電機(jī)電纜,考慮到電纜在使用過(guò)程中經(jīng)常受到徑向外力作用,在電纜屏蔽層外增加鍍鋅鋼帶鎧裝層(在屏蔽層和鋼帶鎧裝層之間加隔離套)。鋼帶鎧裝主要是作為電纜的徑向機(jī)械保護(hù)層,同時(shí)它也起到附加性總屏蔽作用,特別是鋼帶鎧裝和銅絲、銅帶屏蔽,是采用了兩種不同屏蔽材料,在電磁波屏蔽上起到一定的互補(bǔ)作用,屏蔽效果將更好。?3.電纜電氣性能設(shè)計(jì)1.8/3kV及以下變頻電機(jī)電纜電氣性能均按GB/Tl2706,2002標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。6/10kV變頻電機(jī)電纜在滿(mǎn)足GBT/l2706.2002標(biāo)準(zhǔn)外,?增加了電容和電感等電性能要求。根據(jù)變頻電機(jī)電纜的實(shí)際使用情況并參照GB/T?12706.2002和ABB日公司對(duì)電力傳動(dòng)電纜的技術(shù)條件,確定了電纜的電氣性能參數(shù)。4.電纜的主要制造工藝技求?在變頻電機(jī)電纜生產(chǎn)過(guò)程中,絕緣線(xiàn)芯擠包工序、成纜工序等是zui關(guān)鍵的工序。絕緣線(xiàn)芯擠包工序絕緣線(xiàn)芯的質(zhì)量將直接影響到電纜的電氣性能。為了提高電纜的質(zhì)量,我們選擇高電性能絕緣材料生產(chǎn),例如1.8/3kv變頻電機(jī)電纜,采用10kV交聯(lián)絕緣材料,6/10kv變頻電機(jī)電纜采用35kv交聯(lián)絕緣材料,導(dǎo)體屏蔽、絕緣屏蔽和絕緣材料均采用了進(jìn)口材料。在生產(chǎn)過(guò)程中,我們特別注重原材料的凈化,屏蔽與絕緣材料擠包緊密,控制絕緣偏心度和絕緣外徑的均勻*,這樣可減少界面效應(yīng),提高電纜電氣性能。成纜工序變頻電纜要求結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng),成纜時(shí)必須保證絕緣線(xiàn)芯張力均勻,使成纜后的線(xiàn)芯長(zhǎng)度盡量保持*,否則會(huì)引起結(jié)構(gòu)變化,導(dǎo)致電容和電感的不均勻性,影響電纜的電氣性能。而且在具有退扭的成纜設(shè)備上完成。?變頻電纜具有較低且均勻的正序和零序工作阻抗,有利于改善供電品質(zhì)。?2?具有較強(qiáng)的抗電磁干擾和抗雷擊等特性。BGVFPP2扁電纜(本溪電纜廠(chǎng)庫(kù)存)


3?如果電纜的結(jié)構(gòu)采用普通3+1芯,即三根主線(xiàn)芯和一根零線(xiàn),這會(huì)使主線(xiàn)芯和零線(xiàn)的干擾和諧波電壓不平衡。要使電纜能正常工作,必須增加電纜的絕緣水平。若采用3+3對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu),那么由于導(dǎo)線(xiàn)互換效應(yīng)及其對(duì)稱(chēng)平衡,可將干擾減小到zui低水平,因此采用3+3結(jié)構(gòu),比普通電纜具有*性。?
4??對(duì)稱(chēng)3+3結(jié)構(gòu)的變頻電纜纜芯是互換的,有更好的電磁相容性,對(duì)抑制電磁干擾起到一定的作用,能抵消高次諧彼中的奇次頻率,提高變頻電機(jī)電纜的抗干擾性,減少了整個(gè)系統(tǒng)中的電磁輻射。采用對(duì)稱(chēng)3+3結(jié)構(gòu)的變頻電纜可以有效的防止高頻軸電流的產(chǎn)生。?
5變頻電纜屏蔽層可抗電磁感應(yīng)、接地不良和電源線(xiàn)傳導(dǎo)干擾,減小電感,防止感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)過(guò)大。屏蔽層既起到抑制電磁波對(duì)外發(fā)射的作用,又可作為短路電流的通道,能起到中性線(xiàn)芯的保護(hù)作用。?
6以普通的3+1型電力電纜為例,完整的三項(xiàng)供電系統(tǒng),當(dāng)三項(xiàng)電流平衡時(shí),其中性線(xiàn)芯的電流為零;當(dāng)高次諧波產(chǎn)生時(shí),經(jīng)過(guò)電纜的多次反射,便會(huì)出現(xiàn)對(duì)此的波峰與波峰或波谷與波谷相疊加的機(jī)會(huì),電纜越長(zhǎng)疊加機(jī)會(huì)越多表現(xiàn)得也就越明顯。加之電纜這個(gè)大的電容本身對(duì)高次諧波就有著放大的作用,對(duì)于3+1型電纜,高次諧波產(chǎn)生的電流分量在中性線(xiàn)芯內(nèi)無(wú)相位差,這樣一來(lái)電流將會(huì)疊加成原分量的數(shù)倍,中性線(xiàn)芯在高頻脈沖下很快就會(huì)被擊穿。為了解決這個(gè)問(wèn)題,我們將3+1型的電纜中的1芯分成了三份,以對(duì)稱(chēng)的方式做成3+3結(jié)構(gòu),這樣,三個(gè)中性線(xiàn)芯的相位一次滯后120°,形成了一個(gè)對(duì)稱(chēng)平衡的狀態(tài),使得電流不會(huì)型疊加,有效的減小了高次諧波對(duì)變頻電纜的危害。此為變頻電纜選擇對(duì)稱(chēng)3+3結(jié)構(gòu)的理由之一。BGVFPP2扁電纜(本溪電纜廠(chǎng)庫(kù)存)YVFB、YFFB、YVFGB、YGGB、YGCB、YFGB、KFGB、JFGB、YFVFB、KVFB、KVFGB、YVFRB、YVFGRB、YFGRB、KFGRB、JFGRB、YGGRB、YGCRB、YFVFRB、KVFRB、KVFGRB、YVFPB、YVFGPB、YFGPB、KFGPB、JFGPB、YGGPB、YGCPB、YFVFPB、KVFPB、KVFGPB、YFFB、YFFRPB、YVFRPB、YVFGRPB、YFGRPB、KFGRPB、JFGRPB、YGGRPB、YGCRPB、YFVFRPB、KVFRPB、KVFGRB、YF46GB、KF46GB、JF46GB、YF46GRB、KF46GRB、JF46GRB、ZR-YVFB、ZR-YVFGB、ZR-YFGB、ZR-KFGB、ZR-JFGB、ZR-YGGB、ZR-YGCB、ZR-YFVFB、ZR-KVFB,ZR-KVFGB、ZR-YVFRB、ZR-YVFGRB、ZR-YFGRB、ZR-KFGRB、ZR-JFGRB、ZR-YGGRB、ZR-YGCRB、ZR-YFVFRB、ZR-KVFRB、ZR-KVFGRB、ZR-YVFPB、ZR-YVFGPB、ZR-YFGPB、ZR-KFGPB、ZR-JFGPB、ZR-YGGPB、ZR-YGCPB、ZR-YFVFPB、ZR-KVFPB

交流變頻調(diào)速技術(shù)是現(xiàn)代電力傳動(dòng)技術(shù)的重要發(fā)展方向,其應(yīng)用領(lǐng)域也相應(yīng)地進(jìn)入了一個(gè)新的高潮,目前在磁懸浮列車(chē)、高速鐵路、石油采油的調(diào)速、超聲波驅(qū)油等領(lǐng)域也得到了大量的應(yīng)用。有資料表明我 國(guó)變頻器市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度每年都在10%以上。雖然變頻技術(shù)的應(yīng)用范圍很廣,但對(duì)于許多工程技術(shù)人員來(lái)說(shuō)變頻技術(shù)尚屬于一門(mén)新的技術(shù)。同時(shí),在此情況下也帶來(lái)了電機(jī)和變頻器之間電力電纜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和如何正確選用電力電纜等成為一個(gè)新的課題。鑒于這方面的原因,本文對(duì)變頻系統(tǒng)用電力電纜結(jié)構(gòu)、相關(guān)性能要求以及電纜的接線(xiàn)方式等方面作一介紹。供相關(guān)電纜制造和電氣設(shè)計(jì)技術(shù)人員作參考。  2國(guó)外典型變頻系統(tǒng)用電力電纜結(jié)構(gòu)介紹  2.1ABB公司認(rèn)可的電纜結(jié)構(gòu)及相關(guān)要求 2.1.1主電電纜為滿(mǎn)足工業(yè)環(huán)境的一般電磁輻射標(biāo)準(zhǔn),主電電纜必須是三芯或四芯屏蔽電纜。電纜屏蔽的有效性規(guī)則是,屏蔽層越緊密電磁輻射的水平就越低。可以基于屏蔽層的結(jié)構(gòu)或傳輸阻抗來(lái)評(píng)價(jià)它的有效性:           屏蔽結(jié)構(gòu):電纜的屏蔽層采用銅絲纏繞在三芯或四芯相線(xiàn)的外面,帶有一個(gè)螺旋形銅帶,減小了屏蔽層孔的大小。屏蔽層傳輸阻抗:在100MHz范圍以?xún)?nèi),傳輸阻抗必須等于或小于1Ω/m。                    2.1.2電機(jī)電纜電機(jī)電纜屏蔽必須滿(mǎn)足上述主電電纜屏蔽的zui低要求。屏蔽結(jié)構(gòu):電纜的屏蔽層至少包括一個(gè)銅帶重疊的層和銅絲纏繞的層繞包在三芯或四芯相線(xiàn)的外面,也可選擇銅絲編織作為屏蔽層。 屏蔽層傳輸阻抗:在100MHz范圍以?xún)?nèi),傳輸阻抗必須等于或小于100 mΩ/m。   

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