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碳化硅（SiC）材料半導體晶體主要應用領域1.高頻大功率電力電子器件? Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiNdiode...
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碳化硅（SiC）
氧化鋅（ZnO）材料半導體晶體
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氧化鋅（ZnO）
SOI 材料半導體晶體
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溴化鉀（KBr）薄膜基片晶體
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（KCl）薄膜基片晶體
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KCl
氯化鈉（NaCl）薄膜基片晶體
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氯化鈉（NaCl）
硅（Si）薄膜基片晶體
硅（Si）薄膜基片晶體Si 用途：用作半導體材料，大功率晶體管，整流器，太陽能電池等。
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鍺（Ge）薄膜基片晶體
鍺（Ge）薄膜基片晶體用途：制作半導體器件，紅外光學器件，及太陽能電池襯底等材料。
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InP薄膜基片晶體
InP薄膜基片晶體InP單晶材料作為重要的化合物半導體材料之一,是生產光通訊中InP基激光二極管（LD），發光二極管（LED）和光探測器等的關鍵材料，這些器件實...
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GaSb薄膜基片晶體
GaSb薄膜基片晶體GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸的激光器和探測器，GaSb也被預見具有晶格遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具...
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砷化鎵（GaAs）薄膜基片晶體
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砷化鎵
InAs單晶基片材料
InAs單晶基片材料InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等異質結材料,制作波長 2～14μm的紅外發光器件，用 InAs...
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鎂鋁尖晶石（MgAl6O10）薄膜基片晶體MgAl6O10單晶是近發現的一種GaN和ZnO外延生長用襯底材料。MgAl6O10單晶屬于立方晶系，空間群為Fd-...
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氧化鋅（ZnO）薄膜基片晶體
氧化鋅（ZnO）薄膜基片晶體氧化鋅（ZnO）是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發光材料．同...
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SiC單晶（6H-SiC,4H-SiC ）薄膜基片晶體
SiC單晶（6H-SiC,4H-SiC ）薄膜基片晶體SiC單晶具有許多的性質，熱導率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強等，適合于制備高頻率、高功率、以及...
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鋁酸鋰晶體（LiAlO2）薄膜基片晶體
鋁酸鋰晶體（LiAlO2）薄膜基片晶體鋁酸鋰單晶與氮化鎵的晶格失配率小（鋁酸鋰為1.4%）而成為氮化鎵薄膜的基片。
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藍寶石（Al2O3）薄膜基片晶體藍寶石（Sapphire,又稱白寶石，分子式為Al2O3）單晶是一種的多功能材料。它，導熱好，硬度高，透紅外，化學。用于工業、國...
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