詳細摘要: SYSKEY可提供反應離子刻蝕和電感耦合反應離子刻蝕,支持 8 英寸樣品。
產品型號:RIE-SC4/6/8-A00 & ICP-SC4/6/8-A00所在地:上海更新時間:2024-04-07 在線留言通信電纜 網絡設備 無線通信 云計算|大數據 顯示設備 存儲設備 網絡輔助設備 信號傳輸處理 多媒體設備 廣播系統 智慧城市管理系統 其它智慧基建產品
上海德竹芯源科技有限公司
詳細摘要: SYSKEY可提供反應離子刻蝕和電感耦合反應離子刻蝕,支持 8 英寸樣品。
產品型號:RIE-SC4/6/8-A00 & ICP-SC4/6/8-A00所在地:上海更新時間:2024-04-07 在線留言詳細摘要: Picosun R-200 系列原子層沉積系統是一款多功能的原子層沉積平臺,是用于研發的理想選擇,適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及...
產品型號:R-200 Advance所在地:上海更新時間:2024-04-07 在線留言詳細摘要: 多腔互聯鍍膜系統可滿足器件樣品在全真空環境下制備,所有膜層之間不接觸空氣,有利于器件性能的提高,通常多腔體系統可集成多種薄膜沉積技術和薄膜前后處理技術。
產品型號:定制所在地:上海更新時間:2024-04-07 在線留言詳細摘要: PICOSUN® R-200 標準 ALD 系統適用于數十種應用的研發,例如 IC 組件、MEMS 設備、顯示器、LED、激光器和 3D 對象,例如透鏡...
產品型號:R-200 Standard所在地:上海更新時間:2024-04-07 在線留言詳細摘要: PICOSUN™ P-300 系統擁有的熱壁、獨立的前驅體管路和特殊的載氣設計,確??梢陨a出具有優異的成品率、低顆粒水平和的電學和光學性能的高質量...
產品型號:P-300B所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 這款用于實驗和研發的小規模生產立式爐管實現了高質量的處理。該立式爐管很緊湊,只需要很小的安裝面積,但可用于各種直徑的晶圓,具有與量產爐相同的溫度特性。
產品型號:VF-1000所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 低壓化學氣相淀積(LPCVD)是在低壓條件下通過氣體混合的化學反應在硅片表面淀積一層固體膜的工藝。例如:氮化硅薄膜淀積、多晶硅薄膜淀積、非晶硅薄膜淀積、二氧化硅...
產品型號:TS系列 LPCVD所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 適用于常壓干氧氧化、濕氧氧化、氫氧合成氧化、擴散、退火/推進、合金等工藝。
產品型號:TS系列 APCVD所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 這款配有自動輸送機的低成本立式爐管可用于從研發到批量生產 4 至 8 英寸晶圓的一系列功能。提供超高溫處理,非常適合功率器件制造。
產品型號:VF-3000所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 主要應用晶圓顯影后的底膠去除或者干法蝕刻工藝后變性的光刻膠去除,光刻膠的去除及對樣片是否有損傷,將影響到后續工藝和器件的性能。
產品型號:Q235所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 磁控濺射是物理氣相沉積技術 (Physical Vapor Deposition, PVD) 的一種。一般用于制備金屬、半導體、絕緣體等薄膜材料,具有設備簡單、...
產品型號:SP-LC4-A0X / SP-LC6-A0X / SP-LC8-A0X所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 主要應用晶圓顯影后的底膠去除或者干法蝕刻工藝后變性的光刻膠去除,光刻膠的去除及對樣片是否有損傷,將影響到后續工藝和器件的性能。
產品型號:ASTRO PACT-10H所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 本設備是利用超短脈沖激光實現碳化硅晶圓高質量、高效率的切割加工。
產品型號:Inducer-5560所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 金屬有機物前驅體和反應氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應,形成原子級精度(厚度和原子排布)的薄膜。
產品型號:ALD-SC6-PE / ALD-SC8-PE/ ALD-SC12-PE所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 等離子體光譜儀器Crookesl,針對半導體等離子體工藝設備開發,兼具原位監控和譜線分析功能,解決等離子體工藝穩定度監控,等離子體工藝過程監控,等離子體工藝實時...
產品型號:CrookesI所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: SWA-20US 適用晶圓尺寸 6 寸及以下晶圓激光退火,具有晶圓厚度檢測、激光功率檢測、激光束圖形檢測、激光焦點檢測功能。
產品型號:SWA-20US所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言詳細摘要: 等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是一種利用等離子體為沉積反應提供能量的化學氣相沉積(CVD)技術。PECVD可替代傳統CVD在較低的溫度下沉積各種薄膜,且...
產品型號:CVD-SC4/6/8-A00 & ICPCVD-SC4/6/8-A00所在地:上海更新時間:2023-09-13 在線留言您感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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